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本发明提供的一种半导体结构及其制作方法以及使用该半导体结构的DRAM，涉及电子技术领域，包括半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的多个下电极，多个所述下电极分布为多排结构，且相邻排的所述下电极相互交错排布；至少一层支撑件，所述支撑件具有椭圆形...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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