一种5G毫米波双频带双模混频器及无线通信终端制造技术

本发明专利技术属于无线通信技术领域，公开了一种5G毫米波双频带双模混频器及无线通信终端，所述5G毫米波双频带双模混频器中第一MOS管通过漏极与第二MOS管和第三MOS管的源极相连，第一MOS管通过漏极与第四MOS管的漏极连接；第二MOS管通过栅极与第一电容一端连接，第一电容另一端与第三MOS管的漏极连接；第三MOS管通过栅极与第二电容一端连接，第二电容另一端与第二MOS管的漏极连接。本发明专利技术基于单平衡混频器结构，具有本振基波混频和本振二次谐波混频两种混频模式，通过差模和共模的提取，输出中频，使用一个混频器实现了两个频带信号的下变频，抑制了两个频带信号之间的相互干扰，不会引入较大的功率、面积消耗。面积消耗。面积消耗。

A 5g millimeter wave dual band dual-mode mixer and wireless communication terminal

【技术实现步骤摘要】
一种5G毫米波双频带双模混频器及无线通信终端


[0001]本专利技术属于无线通信
，尤其涉及一种5G毫米波双频带双模混频器及无线通信终端。

技术介绍

[0002]目前，在5G毫米波技术的应用中，需要射频芯片同时处理27GHz和39GHz两个频率附近的射频信息，实现双频带的收发通信。对于接收机芯片，不仅需要能够同时放大两个频带的信号，还需要采取合适的变频方式，将两个频带的射频信号互不干扰地下变频到中频信号。以中国的5G毫米波频段24.25
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27.5GHz和37.5
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42.5GHz为例，采用单频点本振的变频方式，若本振频率小于24.25GHz，则双频带下变频后，中频的上限将超过42.5GHz
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24.25GHz＝18.25GHz，中频过高增加中频链路的设计难度；若本振频率位于两个频带之间，则会引入镜频问题，在频谱上关于本振频率对称的两个频率会下变频到同一个频率的中频，造成两组信号相互混叠，影响了后续的信号解调。因此，对于双频带接收机的下变频，需要减轻中频和本振的带宽设计压力，同时，避免本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5G毫米波双频带双模混频器，其特征在于，所述5G毫米波双频带双模混频器设置有：第一MOS管；第一MOS管通过漏极与第二MOS管和第三MOS管的源极相连，第一MOS管通过漏极与第四MOS管的漏极连接；第二MOS管通过栅极与第一电容一端连接，第一电容另一端与第三MOS管的漏极连接；第三MOS管通过栅极与第二电容一端连接，第二电容另一端与第二MOS管的漏极连接。2.如权利要求1所述5G毫米波双频带双模混频器，其特征在于，所述第一MOS管通过源极接地，第一MOS管通过栅极接射频输入信号，第四MOS管通过源极接Vdd，第四MOS管通过栅极接偏置电压Vb1。3.如权利要求1所述5G毫米波双频带双模混频器，其特征在于，所述第二MOS管和第三MOS管通过栅极分别连接本振信号的正负端，第二MOS管和第三MOS管通过漏极分别接入变压器的初级线圈的两个端口。4.如权利要求3所述5G毫米波双频带双模混频器，其特征在于，所述变压器通过初级线圈的中心抽头串联第一电感后接入Vdd，次级线圈的中心抽头接地，次级线圈两侧的端口分别连接第五MOS管和第六MOS管的源极。5.如权利要求4所述5G毫米波双频带双模混频器，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘润宇，余益明，
申请(专利权)人：成都通量科技有限公司，
类型：发明
国别省市：