参数校正方法与半导体装置制造方法及图纸

一种参数校正方法，用于校正电路之多个待校正之电子组件所对应之多个参数，包括以下步骤：(A)关闭所有待校正之电子组件，并且从多个待校正之电子组件中选择第一电子组件作为被校正之电子组件；(B)开启被校正之电子组件，并且对被校正之电子组件执行校正程序，以确定出被校正之电子组件所对应之参数之设定值，其中在确定出该设定值后，该被校正的电子组件成为已校正的电子组件；以及(C)从多个待校正之电子组件中选择第二电子组件作为被校正之电子组件，并且执行步骤(B)，其中步骤(C)反复被执行，直到所有待校正之电子组件都成为已校正之电子组件，并且于执行步骤(C)时，已校正之电子组件保持被开启。组件保持被开启。组件保持被开启。

【技术实现步骤摘要】
参数校正方法与半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种电路参数的校正方法，尤指一种可有效补偿因制程变异而产生的均衡器电路参数偏移的校正方法。

技术介绍

[0002]通信过程中不可避免的存在信号衰减的问题。一般而言，传输距离越长，信号高频成分的衰减越严重。因此，通信系统中通常使用均衡器补偿信号衰减。
[0003]对于长距离的信号传输，接收端通常需要估计传输线长度或者传输通道长度，并利用此信息调整均衡器电路参数，例如根据传输距离设定适当的信号增益值，使整体信噪比可达最佳。因此，能够准确地评估传输距离以选择适当参数往往是通信系统是否能正常工作的重要因素。
[0004]然而，电路组件的设计值(例如，电容值、电阻值等)可能于芯片制作过程中因制程变异而产生偏移，因此，同一产品内的特定组件在不同的芯片之间可能因其属于不同的制程角落(例如，快/快(Fast/Fast，缩写FF)角落、慢/慢(Slow/Slow，缩写SS)角落、典型/典型(Typical/Typical，缩写TT)角落等)，而有不同的偏移量。对于均衡器而言，参数的偏移会造成高频增益峰值的频率位置偏离以及峰值大小的变化，导致不同的芯片在相同的传输距离下，因受到均衡器的参数差异影响，而得到完全不同的频率响应，进而影响到评估传输线长度或者传输通道长度的准确性。不准确的长度估计值会导致错误的接收机参数设定，最终造成循环冗余校验(Cyclic Redundancy Check，缩写CRC)错误与传输封包的丢失的发生。
[0005]为解决此问题，需要一种可有效补偿因制程变异而产生的电路参数偏移的参数校正方法。

技术实现思路

[0006]本专利技术之目的在于解决因制程变异而产生的电路参数偏移的问题。
[0007]根据本专利技术之实施例，一种参数校正方法，用于校正电路的多个待校正的电子组件所对应的多个参数，包括以下步骤：(A)关闭所有待校正的电子组件，并且从多个待校正的电子组件中选择第一电子组件作为被校正的电子组件；(B)开启被校正的电子组件，并且对被校正的电子组件执行校正程序，以确定出被校正的电子组件所对应的参数的设定值，其中在确定出设定值后，被校正的电子组件成为已校正的电子组件；以及(C)从多个待校正的电子组件中选择第二电子组件作为被校正的电子组件，并且执行步骤(B)，其中步骤(C)反复被执行，直到所有待校正的电子组件都成为已校正的电子组件，并且在执行步骤(C)时，已校正的电子组件保持被开启。
[0008]根据本专利技术之另一实施例，一种半导体装置，包括均衡器电路与控制单元。控制单元耦接至均衡器电路，用于校正均衡器电路的多个待校正的电子组件所对应的多个参数，其中控制单元执行以下操作：(A)关闭均衡器电路的所有待校正的电子组件，并且从多个待
校正的电子组件中选择第一电子组件作为被校正的电子组件；(B)开启被校正的电子组件，并且对被校正的电子组件执行校正程序，以确定出被校正的电子组件所对应的参数的设定值，其中在确定出设定值后，被校正的电子组件被视为已校正的电子组件；以及(C)从多个待校正的电子组件中选择第二电子组件作为被校正的电子组件，并且执行操作(B)。操作(C)反复被执行，直到所有待校正的电子组件都被视为已校正的电子组件，并且在执行操作(C)时，控制单元控制已校正的电子组件保持被开启。
附图说明
[0009]图1是显示根据本专利技术之一实施例所述之半导体装置框图。
[0010]图2是显示根据本专利技术之一实施例所述之均衡器电路之范例电路图。
[0011]图3是显示根据本专利技术之一实施例所述之参数校正流程之流程图。
[0012]图4是显示根据本专利技术之一实施例所述之对被校正之电子组件所执行之校正程序的范例流程图。
[0013]图5是显示根据本专利技术之另一实施例所述之对被校正之电子组件所执行之校正程序的范例流程图。
[0014]图6是显示根据本专利技术之一实施例所述之电路经参数校正后所得的频率响应。
[0015]图7是显示根据本专利技术之另一实施例所述之电路经参数校正后所得的频率响应。
具体实施方式
[0016]图1是显示根据本专利技术之一实施例所述之半导体装置框图。半导体装置100可为集成电路(Integrated Circuit，缩写IC)或芯片，例如，适用于通信系统内之接收机芯片。半导体装置100可至少包括控制单元120与均衡器电路110，例如，连续时间线性均衡器(Continuous Time Linear Equalization，缩写CTLE)。控制单元120耦接至均衡器电路110，用于在半导体装置100制作完成后，例如，在芯片出厂后，校正均衡器电路110之多个电子组件所对应的参数。根据本专利技术之一实施例，控制单元120可预先被写入既定的固件程序代码，控制单元120可通过执行固件程序代码开始对均衡器电路110执行参数校正流程。通过参数校正，均衡器电路110的频率响应可被调整为具有特定的形状，用于克服前述在半导体装置之制作过程中因制程变异导致均衡器电路110之多个电子组件所对应的参数发生数值偏移的问题。如此一来，即便基于相同的电路配置所生产出来的多个半导体装置最终分布于不同的制程角落，例如前述之FF角落、SS角落、或TT角落等，各半导体装置内的均衡器电路110的频率响应仍可被校正成具有相同或比较近似的形状。
[0017]需注意的是，图1为简化的框图，其中仅显示出与本专利技术相关之组件。熟悉此技术者均可理解，半导体装置或者接收机芯片内应该可包含其他未示于图1之组件，例如，天线、功率放大器、混频器、射频信号处理电路等，以实施所需之信号处理功能。
[0018]图2是显示根据本专利技术之一实施例所述之均衡器电路之范例电路图。均衡器电路210可包括一个或多个滤波器电路，例如，滤波器电路211与212。滤波器电路211可包括电阻R
A
与电容C
A
，滤波器电路212可包括电阻R
B
与电容C
B
，或者可进一步包括放大器电路213。于本专利技术之实施例中，半导体装置100内的待校正之电子组件可以是均衡器电路内的电容，例如，滤波器电路211的电容C
A
以及滤波器电路212的电容C
B
，而所述待校正的参数即为电容
值。
[0019]需注意的是，图2仅显示出本专利技术可应用之多种均衡器电路之其中一者。熟悉此技术者均可理解，本专利技术所提出之参数校正方法应该可被应用于任何未示于本说明书之均衡器电路。此外，需注意的是，本专利技术所提出之参数校正方法也不限于仅能够校正均衡器电路内的电子组件。熟悉此技术者均可理解，本专利技术所提出之参数校正方法应该可被应用于半导体装置内的任何电路，用于校正电路内的电子组件所对应的参数因制程变异而产生的偏移。
[0020]图3是显示根据本专利技术之一实施例所述之参数校正流程之流程图。参数校正流程可包括由控制单元120所控制或执行之以下步骤/操作：
[0021]步骤S302：关闭待校正本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种参数校正方法，用于校正电路的多个待校正的电子组件所对应的多个参数，包括以下步骤：(A)关闭所有待校正的电子组件，并且从该多个待校正的电子组件中选择第一电子组件作为被校正的电子组件；(B)开启该被校正的电子组件，并且对该被校正的电子组件执行校正程序，以确定出该被校正的电子组件所对应的参数的设定值，其中在确定出该设定值后，该被校正的电子组件成为已校正的电子组件；以及(C)从该多个待校正的电子组件中选择第二电子组件作为该被校正的电子组件，并且执行步骤(B)，其中步骤(C)反复被执行，直到所有待校正的电子组件都成为已校正的电子组件，并且在执行步骤(C)时，该已校正的电子组件保持被开启。2.如权利要求1所述的参数校正方法，其中对该被校正的电子组件执行的该校正程序包括以下步骤：(B21)将该被校正的电子组件所对应的该参数设定为第一设定值；(B22)由该电路根据具有第一频率的第一测试信号产生第一输出信号以及根据具有第二频率的第二测试信号产生第二输出信号；(B23)计算该第一输出信号中在该第一频率的频率成分的能量，并且根据该第一测试信号的能量以及该第一输出信号中在该第一频率的该频率成分的能量计算第一增益值，以及计算该第二输出信号中在该第二频率的频率成分的能量，并且根据该第二测试信号的能量以及该第二输出信号中在该第二频率的该频率成分的能量计算第二增益值；(B24)将该被校正的电子组件对应的该参数设定为不同于该第一设定值的第二设定值，并执行步骤(B22)与步骤(B23)，以取得对应于该第二设定值的该第一增益值与该第二增益值；以及(B25)根据至少一个目标值、对应于该第一设定值的该第一增益值与该第二增益值以及对应于该第二设定值的该第一增益值与该第二增益值确定该第一电子组件所对应的该参数的该设定值。3.如权利要求2所述的参数校正方法，其中该至少一个目标值包括该第一频率的第一目标增益值以及该第二频率的第二目标增益值。4.如权利要求2所述的参数校正方法，其中步骤(B24)反复地根据该被校正的电子组件所对应的该参数的不同设定值被执行多次，并且在执行完多次步骤(B24)后，在步骤(B25)中该设定值是根据该至少一个目标值以及对应于所述不同设定值的该第一增益值与该第二增益值被确定。5.如权利要求1所述的参数校正方法，其中该多个待校正的电子组件为该电路内的多个电容，并且该多个参数为该多个电容的电容值。6.一种半导体装置，包括：均衡器电路；以及控制单元，耦接至该均衡器电路，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昀泽，陈彦贵，吕士铭，黄亮维，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：