一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片，包括本振巴伦、射频巴伦、两个本振阻抗匹配网络、两个射频阻抗匹配网络、肖特基二极管混频核、中频滤波网络；其中，所述本振巴伦通过两个所述本振阻抗匹配网络与所述肖特基二极管混频核连接，所述射频巴伦通过两个所述射频阻抗匹配网络与所述肖特基二极管混频核连接，所述射频巴伦与中频滤波网络连接。本发明专利技术通过对肖特基二极管混频核和中频滤波网络拓扑结构的改变，优化了混频器的线性度和RF－IF隔离度，改变了电路拓扑结构，从而优化了混频器的整体性能，提高了芯片实用性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片


[0001]本专利技术属于射频集成电路
，涉及一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片。

技术介绍

[0002]在通信系统中，混频器是微波收发系统中的核心器件之一，其性能的好坏将直接影响整个系统的性能，它通过有源/无源器件的非线性特性来实现，产生输入频率的和频与差频分量，对输入信号的频率进行搬移。
[0003]在电子侦察领域，随着高功率发射和干扰设备不断激增，大动态接收机已经成为各军事强国竞相发展的重要军事装备。高线性度混频器是大动态接收前端的关键器件，其线性度指标直接影响接收系统的动态范围。同时，双平衡混频器能够有效地抑制寄生产物，各端口之间也有很好的隔离，是混频器设计的优选结构。射频信号端口和本振端口的隔离度基本上取决于二极管环形堆的平衡程度。射频信号和本振信号分别通过宽带巴伦加到二极管环上，中频信号从射频信号或者本振信号处的巴伦中提取出来，考虑到本振端往往是大信号，若从本振端提取中频信号泄漏较大，故从射频巴伦端取出。但是从射频巴伦端提取中频信号时，会破坏巴伦电路的完整性，随着本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片，其特征在于，包括本振巴伦、射频巴伦、两个本振阻抗匹配网络、两个射频阻抗匹配网络、肖特基二极管混频核、中频滤波网络；所述本振巴伦通过两个所述本振阻抗匹配网络与所述肖特基二极管混频核连接，所述射频巴伦通过两个所述射频阻抗匹配网络与所述肖特基二极管混频核连接，所述射频巴伦与中频滤波网络连接。2.如权利要求1所述的一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片，其特征在于，所述本振巴伦包括电容C1，螺旋微带线W1、W2、W3；其中，螺旋微带线W1一端与本振信号连接，另一端与电容C1连接，所述电容C1的另一端接地；所述螺旋微带线W2一端和电感L1连接，所述螺旋微带线W3一端和电感L2连接，螺旋微带线W2的另一端与螺旋微带线W3的另一端相互连接并接地。3.如权利要求1所述的一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片，其特征在于，所述射频巴伦包括电容C2，螺旋微带线W4、W5、W6；其中，螺旋微带线W6一端与射频信号连接，另一端与电容C2连接，所述电容C2的另一端接地；所述螺旋微带线W4一端和电感L3连接，螺旋微带线W5一端和电感L4连接，螺旋微带线W4的另一端与螺旋微带线W5的另一端相互连接后并与中频滤波网络连接。4.如权利要求2和3所述的一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片，其特征在于，所述本振阻抗匹配网络包括电感L1、L2，所述射频阻抗匹配网络包括电感L3、L4；其中，所述电感L1一端和螺旋微带线W2连接，另一端与肖特基二极管混频核的二极管D1的负极和二极管D3的正极连接；所述电感L2一端和螺旋微带线...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜琳，
申请(专利权)人：西安博瑞集信电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：