模拟均衡器制造技术

本公开提供了一种模拟均衡器，该模拟均衡器包括第一输入模块、第二输入模块及输出模块。第一输入模块，包括第一输入单元和第一输出单元，第一输入单元用于接收第一外部电压信号，第一输出单元用于提供第一电流信号；第二输入模块，包括第二输入单元和第二输出单元，第二输入单元用于接收第二外部电压信号，第二输出单元用于提供第二电流信号；输出模块，与第一输入模块和第二输入模块相连，用于将第一电流信号和/或第二电流信号转为电压信号并输出。出。出。

【技术实现步骤摘要】
模拟均衡器


[0001]本公开涉及集成电路
，尤其涉及一种模拟均衡器。

技术介绍

[0002]与直接使用模拟信号传递信号相比，数字码传递信号具有抗干扰能力强、便于储存处理、易于集成化等优点，这使得该技术广泛应用于通信系统中，然而随着数据传输速率不断上升，受传输线非理想效应影响愈发严重，使得接收到的信号误码率提高。
[0003]目前一般常温电路所采取的方法是在数据接收端加入一个模拟均衡器，用于补偿传输线高频处的衰减，最终使得整体频率响应平坦，以达到补偿的目的，然而在极低温环境下大多数电路无法工作，或能够工作但工作状态发生变化。例如，现今模拟均衡器输入需要共模电压，然而在低温环境下MOS管阈值电压大幅上升，导致输入电路共模范围下降，加上低温下前级输出共模电压偏移不可预见。

技术实现思路

[0004](一)要解决的技术问题
[0005]针对于现有的技术问题，本公开提供一种模拟均衡器，用于至少部分解决以上技术问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述目的，本公开提供了一种模拟均衡器。上述模拟均衡器包括第一输入模块S01、第二输入模块S02以及输出模块S03。
[0008]第一输入模块S01，包括第一输入单元和第一输出单元，所述第一输入单元用于接收第一外部电压信号，所述第一输出单元用于提供第一电流信号；第二输入模块S02，包括第二输入单元和第二输出单元，所述第二输入单元用于接收第二外部电压信号，所述第二输出单元用于提供第二电流信号；输出模块S03，与所述第一输入模块S01和所述第二输入模块S02相连，用于将所述第一电流信号和/或所述第二电流信号转为电压信号并输出。
[0009]在本公开的一些实施例中，所述第一输入单元，包括第一INN输入端INN1和第一INP输入端INP1；所述第二输入单元，包括第二INN输入端INN2和第二INP输入端INP2。
[0010]在本公开的一些实施例中，所述输出模块S03包括：第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一级联PMOS管MP7、第二级联PMOS管MP8、第一级联NMOS管MN7、第二级联NMOS管MN8、第五NMOS管MN5以及第六NMOS管MN6。
[0011]第五PMOS管MP5，源极与第一外部电源连接；第六PMOS管MP6，源极与第一外部电源连接，所述第六PMOS管MP6栅极与所述第五PMOS管MP5栅极连接；第一级联PMOS管MP7，源极与所述第五PMOS管MP5漏极连接；第二级联PMOS管MP8，源极与所述第六PMOS管MP6漏极连接，所述第二级联PMOS管MP8栅极与所述第一级联PMOS管MP7栅极连接；第一级联NMOS管MN7，漏极与所述第一级联PMOS管MP7漏极连接；第二级联NMOS管MN8，漏极与所述第二级联PMOS管MP8漏极连接，所述第二级联NMOS管MN8栅极与所述第一级联NMOS管MN7连接；第五
NMOS管MN5，漏极与所述第一级联NMOS管MN7源极连接，所述第五NMOS管MN5源极接地；第六NMOS管MN6，漏极与所述第二级联NMOS管MN8源极连接，所述第六NMOS管MN6栅极与所述第五NMOS管MN5栅极连接，所述第六NMOS管MN6源极接地。
[0012]在本公开的一些实施例中，其中，所述第一输入模块S01还包括：第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、可变电阻R
S
以及可变电容C
S
。
[0013]第三NMOS管MN3，栅极与所述第一INN输入端INN1连接，所述第三NMOS管MN3漏极与所述第一级联PMOS管MP7源极连接；第四NMOS管MN4，栅极与所述第一INP输入端INP1连接，所述第四NMOS管MN4漏极与所述第二级联PMOS管MP8源极连接；第一NMOS管MN1，源极接地，漏极与所述第三NMOS管MN3源极连接；第二NMOS管MN2，源极接地，漏极与所述第四NMOS管MN4源极连接，所述第二NMOS管MN2栅极与所述第一NMOS管MN1栅极连接；可变电阻R
S
，一端与所述第三NMOS管MN3源极连接，另一端与所述第四NMOS管MN4源极连接；可变电容C
S
，一端与所述第三NMOS管MN3源极连接，另一端与所述第四NMOS管MN4源极连接；所述可变电阻R
S
和所述可变电容C
S
用于调节向所述输出模块S03提供的第一电流信号。
[0014]在本公开的一些实施例中，其中，所述第二输入模块S02还包括：第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、可变电阻R
S
以及可变电容C
S
。
[0015]第三PMOS管MP3，栅极与所述第二INP输入端INP2连接，所述第三PMOS管MP3漏极与所述第二级联NMOS管MN8源极连接；第四PMOS管MP4，栅极与所述第二INN输入端INN2连接，所述第四NMOS管MP4漏极与所述第一级联NMOS管MN7源极连接；第一PMOS管MP1，源极与第二外部电源连接，漏极与所述第三PMOS管MP3源极连接；第二PMOS管MP2，源极与第二外部电源连接，漏极与所述第四PMOS管MP4源极连接，所述第二PMOS管MP2栅极与所述第一PMOS管MP1栅极连接；可变电阻R
S
，一端与所述第三PMOS管MP3源极连接，另一端与所述第四PMOS管MP4源极连接；可变电容C
S
，一端与所述第三PMOS管MP3源极连接，另一端与所述第四PMOS管MP4源极连接；所述可变电阻R
S
和所述可变电容C
S
用于调节向所述输出模块S03提供的第二电流信号。
[0016]在本公开的一些实施例中，其中，所述输出模块S03还包括：负载电容C
L
、两个等大的负载电阻R
L
、P输出端以及N输出端。
[0017]负载电容C
L
，一端与所述第一级联NMOS管MN7漏极连接，另一端与所述第二级联NMOS管MN8漏极连接；两个等大的负载电阻R
L
，所述两个等大的负载电阻R
L
串联后一端与所述第一级联NMOS管MN7漏极连接，另一端与所述第二级联NMOS管MN8漏极连接；P输出端，与所述第一级联NMOS管MN7漏极连接；N输出端，与所述第二级联NMOS管MN8漏极连接。
[0018]在本公开的一些实施例中，其中，所述输出模块S03还包括共模反馈单元S031，该包括运算放大器U1和补偿电容C
C
。
[0019]运算放大器U1，正输入端V+连接在所述两个等大的负载电阻R
L
之间的中间结点处，所述运算放大器U1负输入端V
‑
连接外部参考电压；补偿电容C
C
，一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模拟均衡器，包括：第一输入模块(S01)，包括第一输入单元和第一输出单元，所述第一输入单元用于接收第一外部电压信号，所述第一输出单元用于提供第一电流信号；第二输入模块(S02)，包括第二输入单元和第二输出单元，所述第二输入单元用于接收第二外部电压信号，所述第二输出单元用于提供第二电流信号；以及输出模块(S03)，与所述第一输入模块(S01)和所述第二输入模块(S02)相连，用于将所述第一电流信号和/或所述第二电流信号转为电压信号并输出。2.根据权利要求1所述的模拟均衡器，其中：所述第一输入单元，包括第一INN输入端(INN1)和第一INP输入端(INP1)；所述第二输入单元，包括第二INN输入端(INN2)和第二INP输入端(INP2)。3.根据权利要求2所述的模拟均衡器，其中，所述输出模块(S03)包括：第五PMOS管(MP5)，源极与第一外部电源连接；第六PMOS管(MP6)，源极与第一外部电源连接，所述第六PMOS管(MP6)栅极与所述第五PMOS管(MP5)栅极连接；第一级联PMOS管(MP7)，源极与所述第五PMOS管(MP5)漏极连接；第二级联PMOS管(MP8)，源极与所述第六PMOS管(MP6)漏极连接，所述第二级联PMOS管(MP8)栅极与所述第一级联PMOS管(MP7)栅极连接；第一级联NMOS管(MN7)，漏极与所述第一级联PMOS管(MP7)漏极连接；第二级联NMOS管(MN8)，漏极与所述第二级联PMOS管(MP8)漏极连接，所述第二级联NMOS管(MN8)栅极与所述第一级联NMOS管(MN7)连接；第五NMOS管(MN5)，漏极与所述第一级联NMOS管(MN7)源极连接，所述第五NMOS管(MN5)源极接地；以及第六NMOS管(MN6)，漏极与所述第二级联NMOS管(MN8)源极连接，所述第六NMOS管(MN6)栅极与所述第五NMOS管(MN5)栅极连接，所述第六NMOS管(MN6)源极接地。4.根据权利要求3所述的模拟均衡器，其中，所述第一输入模块(S01)还包括：第三NMOS管(MN3)，栅极与所述第一INN输入端(INN1)连接，所述第三NMOS管(MN3)漏极与所述第一级联PMOS管(MP7)源极连接；第四NMOS管(MN4)，栅极与所述第一INP输入端(INP1)连接，所述第四NMOS管(MN4)漏极与所述第二级联PMOS管(MP8)源极连接；第一NMOS管(MN1)，源极接地，漏极与所述第三NMOS管(MN3)源极连接；第二NMOS管(MN2)，源极接地，漏极与所述第四NMOS管(MN4)源极连接，所述第二NMOS管(MN2)栅极与所述第一NMOS管(MN1)栅极连接；可变电阻(R
S
)，一端与所述第三NMOS管(MN3)源极连接，另一端与所述第四NMOS管(MN4)源极连接；以及可变电容(C
S
)，一端与所述第三NMOS管(MN3)源极连接，另一端与所述第四NMOS管(MN4)源极连接；所述可变电阻(R
S
)和所述可变电容(Cs)用于调节向所述输出模块(S03)提供的第一电流信号。5.根据权利要求3所述的模拟均衡器，其中，所述第二输入模块(S02)还包括：
第三PMOS管(MP3)，栅极与所述第二INP输入端(INP2)连接，所述第三PMOS管(MP3)漏极与所述第二级联NMOS管(MN8)源极连接；第四PMOS管(MP4)，栅极与所述第二INN输入端(INN2)连接，所述第四NMOS管(MP4)漏极与所述第一级联NMOS管(MN7)源极连接；第一PMOS管(MP1)，源极与第二外部电源连接，漏极与所述第三PMOS管(MP3)源极连接；第二PMOS管(MP2)，源极与第二外部电源连接，漏极与所述第四PMOS管(MP4)源极连接，所述第二PMOS管(MP2)栅极与所述第一PMOS管(MP1)栅极连接；可变电阻(R
S
)，一端与所述第三PMOS管(MP3)源极连接，另一端与所述第四PMOS管(MP4)源极连接；以及可变电容(C
S
)，一端与所述第三PMOS管(MP3)源极连接，另一端与所述第四PMOS管(MP4)源极连接；所述可变电阻(R
S
)和所述可变电容(Cs)用于调节向所述输出模块(S03)提供的第二电流信号。6.根据权利要求3至7中任一项所述的模拟均衡器，其中，所述输出模块(S03)还包括：负载电容(...

【专利技术属性】
技术研发人员：雒超，胡思睿，曹刚，郭国平，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：