【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及放大器，特别涉及一种紧凑面积的低噪声放大器电路。
技术介绍
1、随着5g毫米波通信技术的迅速发展，人们对通信要求也日益提高，通过大规模的前端相控阵成为军用与民用通信的主流思路。而cmos工艺凭借其成熟与高集成度的特性，成本不断降低得到广泛应用。更小的前端单模块能够集成更多的通道，而接收链路的第一个有源模块，低噪声放大器，需要满足低噪声系数和高增益的来保证高信噪比，这对需要低损耗的无源器件，尤其针对占用大面积的电感，大面积的电感是阻碍低噪声放大器的集成度进一步提高的主要原因之一。为了减小电感占用的面积，研究者提出减小占用面积的电感结构，并且基于已有的大量文献，高性能的毫米波频段低噪声放大器至少需要两个甚至更多的电感。
2、在设计常规cg+cs低噪声放大器的时候，每个端口的电感独立设计互不影响，这样他们的设计简单且易于分析，该低噪声放大器可以利用多个电感完成低噪声的设计，这对于大规模多通道相控阵来说占用较大的面积。多个互不影响的电感可以实现相对低的损耗，高增益，此时这些电感间分别占用面积且需要隔离一段距离，但是这样...
【技术保护点】
1.一种紧凑面积的低噪声放大器电路，其特征在于，包括电容C1，所述电容C1的一端作为低噪声放大器电路的输入端，所述电容C1的另一端分别与接地耦合电感L1、电容Cds的一端和晶体管M1的发射极连接，所述晶体管M1的基极与耦合电感L2的一端连接；所述晶体管M1的集电极分别与耦合电感L3的一端、所述电容Cds的另一端和电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端分别与电阻R1的一端和晶体管M2的基极连接，所述晶体管M2的发射极接地，所述晶体管M2的集电极分别与耦合电感L4的一端和电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端作为低噪声放大器电路的输出端；
2.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种紧凑面积的低噪声放大器电路，其特征在于，包括电容c1，所述电容c1的一端作为低噪声放大器电路的输入端，所述电容c1的另一端分别与接地耦合电感l1、电容cds的一端和晶体管m1的发射极连接，所述晶体管m1的基极与耦合电感l2的一端连接；所述晶体管m1的集电极分别与耦合电感l3的一端、所述电容cds的另一端和电容c2的一端连接，所述电容c2的另一端分别与电阻r1的一端和晶体管m2的基极连接，所述晶体管m2的发射极接地，所述晶体管m2的集电极分别与耦合电感l4的一端和电容c3的一端连接，所述电容c3的另一端作为低噪声放大器电路的输出端；
2.根据权利要求1所述的紧凑面积的低噪声放大器电路，其特征在于，所述耦合电感l1、耦合电感l2、耦合电感l3和耦合电感l4共同占用一个电感的面积。
...【专利技术属性】
技术研发人员：赵一辰，
申请(专利权)人：成都通量科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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