声表面波滤波器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及声表面波滤波器及其制造方法，其可提高声表面波滤波器CSP封装的气密性和产品可靠性，并保护芯片避免解剖。声表面波滤波器包括：基板，该基板的上表面四周形成有台阶；芯片，该芯片倒装焊接在基板上；及封装层，该封装层覆盖于基板和芯片的上方，在基板的上表面四周形成阶梯式覆盖。四周形成阶梯式覆盖。四周形成阶梯式覆盖。

【技术实现步骤摘要】
声表面波滤波器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及声表面波滤波器及其制造方法。

技术介绍

[0002]声表面波滤波器(SAWF：surface acoustic wave filter)是基于压电材料的压电效应，利用压电材料表面的声表面波工作的电子器件，其利用形成于压电材料表面的叉指换能器(IDT：interdigital transducer)将电输入信号转换为声表面波，是现今通信设备的关键元器件。
[0003]目前声表面波滤波器在国内主流的封装工艺是芯片级封装(CSP：ChipScale Package)，将压电芯片、基板、金属球、树脂封装通过倒装和树脂封装工艺进行CSP封装，以实现电信号与机械信号的传输和器件的封装保护。 CSP封装具有体积小、性能好、重量轻等优点。图1中示出了现有的声表面波滤波器的封装结构。图1中，完成金属球2C的植球、切割后的具有独立电气性能的压电芯片2A例如通过热压超声工艺倒装焊接在基板2B上，在基板 2B和压电芯片2A的上方覆盖有树脂2D，通过例如层压工艺、高温烘烤工艺等过程，获得声表面波滤波器的封装结构。

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0004]然而，现有的声表面波滤波器的CSP封装存在如下缺点：基板2B与树脂2D封装后，会在分界面2E处产生微小缝隙，水汽从这些微小缝隙进入压电芯片2A，导致气密性不足，产品可靠性下降。
[0005]此外，在封装过程中，通常将多个芯片一起进行封装以形成封装体，最后对封装体进行切割分离，形成单体的声表面波滤波器。然而，在切割分离封装体的过程中，容易解剖芯片，导致芯片的损伤。
[0006]因此，如何在生产中解决声表面波滤波器的CSP封装工艺弊端，提高产品可靠性，成为行业内迫切需要解决的问题。
[0007]本专利技术的目的在于提供一种声表面波滤波器及其制造方法，可提高声表面波滤波器CSP封装的气密性和产品可靠性，并保护芯片避免解剖。解决技术问题所采用的技术方案
[0008]本专利技术涉及一种声表面波滤波器，其包括：基板，该基板的上表面四周形成有台阶；芯片，该芯片倒装焊接在所述基板上；及封装层，该封装层覆盖于所述基板和所述芯片的上方，在所述基板的上表面四周形成阶梯式覆盖。
[0009]优选地，在上述声表面波滤波器中，所述台阶的深度范围为10
‑
100μm，宽度范围为10
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200μm。
[0010]优选地，在上述声表面波滤波器中，所述封装层的材料为树脂。
[0011]优选地，在上述声表面波滤波器中，所述芯片经由金属球焊接在所述基板上。
[0012]优选地，在上述声表面波滤波器中，所述芯片为压电芯片。
[0013]本专利技术还涉及一种声表面波滤波器的制造方法，其包括如下步骤：准备一整体基板；对该整体基板的上表面按预先设定的切割线进行预处理，形成沿着所述切割线的台阶通道；将切割好的多个芯片倒装焊接在所述整体基板上；将封装层覆盖于所述整体基板和所述多个芯片的上方，形成封装体；及沿所述切割线对所述封装体进行切割分离，形成单体的声表面波滤波器。
[0014]优选地，在上述声表面波滤波器的制造方法中，所述台阶通道的深度范围为10
‑
100μm，宽度范围为10
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200μm。
[0015]优选地，在上述声表面波滤波器的制造方法中，将所述封装层以热压的方式压合在所述整体基板上。
[0016]优选地，在上述声表面波滤波器的制造方法中，所述封装层的材料为树脂。
[0017]优选地，在上述声表面波滤波器的制造方法中，利用热压超声焊接工艺，将所述芯片经由金属球焊接在所述整体基板上。
[0018]优选地，在上述声表面波滤波器的制造方法中，所述芯片为压电芯片。专利技术效果
[0019]根据本专利技术的声表面波滤波器及其制造方法，通过在基板的上表面四周形成台阶，利用封装层填充该台阶以形成阶梯式覆盖，从而可避免水汽从封装层与基板形成的平面缝隙进入芯片，能提高声表面波滤波器CSP封装的气密性和产品可靠性。
[0020]此外，利用基板的上表面四周的台阶结构，在切割分离封装体的过程中可保护芯片避免解剖，达到保护芯片的目的。
附图说明
[0021]图1是表示现有的声表面波滤波器的封装结构的示意图。图2是表示本专利技术实施方式的声表面波滤波器的封装结构的示意图。图3是图2所示的声表面波滤波器中的基板结构的俯视图。图4(A)是表示未进行处理的整体基板的俯视图，图4(B)是表示未进行处理的整体基板的侧视图。图5(A)是表示已进行处理的整体基板的俯视图，图5(B)是表示已进行处理的整体基板的侧视图。
具体实施方式
[0022]下面，为了更详细地说明本专利技术，根据附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。
[0023]需要说明的是，在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但本专利技术还可以采用其他不同于此处描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术主旨的情况下进行各种扩展，因此本专利技术不受下面公开的具体实施方式的限制。
[0024]除非上下文明确要求，否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义。也就是说，是“包括但不限于”的含义。
[0025]<声表面波滤波器的封装结构>以下，结合图2，说明本专利技术实施方式所涉及的声表面波滤波器100的封装结构。
[0026]图2是示出本专利技术实施方式的声表面波滤波器100的封装结构的示意图。
[0027]如图2所示，声表面波滤波器100构成为包括芯片1A、基板1B、及封装层1D。
[0028]芯片1A倒装焊接在基板1B上。芯片1A例如为具有独立电气性能的压电芯片。在本实施方式中，芯片1A为声表面波滤波器芯片。
[0029]芯片1A可以经由金属球1C焊接在基板1B上。金属球1C可为锡球，也可为金球。本实施方式中设定金属球为金球，采用热压超声的方法植球于芯片1A的表面。
[0030]基板1B在整个结构中起到物理支撑和电路连接的作用。基板1B的俯视形状为长方形，但是并不限于长方形，例如也可以是正方形。此外，基板 1B例如为陶瓷基板。基板1B并不限于陶瓷基板，例如，也可以是PCB基板、硅基板、锗基板、金刚石基板、类金刚石碳基板、钽酸锂基板、铌酸锂基板等。
[0031]在本实施方式中，如图3的基板结构的俯视图所示，在基板1B的上表面四周形成有台阶1E。台阶1E的深度范围优选为10
‑
100μm，台阶1E的宽度范围优选为10
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200μm。
[0032]封装层1D覆盖于基板1B和芯片1A的上方，在基板1B的上表面四周形成阶梯式覆盖。其中，封装层1D的材料例如可以为树脂，进一步优选地，可以为环氧树脂。
[0033]芯片1A完成金属球1C的植球后，与基板1B进行倒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：基板，该基板的上表面四周形成有台阶；芯片，该芯片倒装焊接在所述基板上；及封装层，该封装层覆盖于所述基板和所述芯片的上方，在所述基板的上表面四周形成阶梯式覆盖。2.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述台阶的深度范围为10
‑
100μm，宽度范围为10
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200μm。3.如权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述封装层的材料为树脂。4.如权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述芯片经由金属球焊接在所述基板上。5.如权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述芯片为压电芯片。6.一种声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：准备一整体基板；对该整体基板的上表面按预先设定的切割线进行预处理，形成沿着所述切割线的台阶通道；将切割...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡婷婷，
申请(专利权)人：广东广纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：