声表面波滤波器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及声表面波滤波器及其制造方法，其可提高声表面波滤波器CSP封装的气密性和产品可靠性，并保护芯片避免解剖。声表面波滤波器包括：基板，该基板的上表面四周形成有台阶；芯片，该芯片倒装焊接在基板上；及封装层，该封装层覆盖于基板和芯片的上方，在基板的上表面四周形成阶梯式覆盖。四周形成阶梯式覆盖。四周形成阶梯式覆盖。

【技术实现步骤摘要】
声表面波滤波器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及声表面波滤波器及其制造方法。

技术介绍

[0002]声表面波滤波器(SAWF：surface acoustic wave filter)是基于压电材料的压电效应，利用压电材料表面的声表面波工作的电子器件，其利用形成于压电材料表面的叉指换能器(IDT：interdigital transducer)将电输入信号转换为声表面波，是现今通信设备的关键元器件。
[0003]目前声表面波滤波器在国内主流的封装工艺是芯片级封装(CSP：ChipScale Package)，将压电芯片、基板、金属球、树脂封装通过倒装和树脂封装工艺进行CSP封装，以实现电信号与机械信号的传输和器件的封装保护。 CSP封装具有体积小、性能好、重量轻等优点。图1中示出了现有的声表面波滤波器的封装结构。图1中，完成金属球2C的植球、切割后的具有独立电气性能的压电芯片2A例如通过热压超声工艺倒装焊接在基板2B上，在基板 2B和压电芯片2A的上方覆盖有树脂2D，通过例如层压工艺、高温烘烤工艺等过程，获得声表面波滤波器的封装结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：基板，该基板的上表面四周形成有台阶；芯片，该芯片倒装焊接在所述基板上；及封装层，该封装层覆盖于所述基板和所述芯片的上方，在所述基板的上表面四周形成阶梯式覆盖。2.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述台阶的深度范围为10
‑
100μm，宽度范围为10
‑
200μm。3.如权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述封装层的材料为树脂。4.如权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述芯片经由金属球焊接在所述基板上。5.如权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述芯片为压电芯片。6.一种声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：准备一整体基板；对该整体基板的上表面按预先设定的切割线进行预处理，形成沿着所述切割线的台阶通道；将切割...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡婷婷，
申请(专利权)人：广东广纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：