【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法和半导体结构
[0001]本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构的制造方法和半导体结构。
技术介绍
[0002]半导体结构中的存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件，存储器通常包括电容以及与电容连接的晶体管，电容用来存储代表存储信息的电荷，晶体管是控制电容器的电荷流入和释放的开关。
[0003]随着半导体工艺节点的不断缩小，电容的稳定性以及容量有待提高。
技术实现思路
[0004]本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，至少有利于提高电容的稳定性以及电容的容量。
[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供基底，形成位于所述基底上多个阵列排布的第一下电极，所述第一下电极的形状为柱状；形成位于所述第一下电极上的上层牺牲层；形成贯穿所述上层牺牲层的多个第一通孔，所述第一通孔为阵列排布；每一所述第一下电极在所述基底上的正投影均被多个所述第一通孔的正投影环绕，且所述第一下电极的正投影边缘与...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，形成位于所述基底上多个阵列排布的第一下电极，所述第一下电极的形状为柱状；形成位于所述第一下电极上的上层牺牲层；形成贯穿所述上层牺牲层的多个第一通孔，所述第一通孔为阵列排布；每一所述第一下电极在所述基底上的正投影均被多个所述第一通孔的正投影环绕，且所述第一下电极的正投影边缘与所述第一通孔的正投影边缘相接；形成贯穿所述上层牺牲层的断口，所述断口连通相邻所述第一通孔，剩余的所述上层牺牲层用于构成多个分立的牺牲柱，所述牺牲柱与所述第一下电极一一正对；形成覆盖所述牺牲柱侧壁的承载层；去除所述牺牲柱；形成覆盖所述承载层表面以及所述第一下电极顶面的第二下电极。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一下电极的步骤包括：形成位于所述基底上的下层牺牲层；形成贯穿所述下层牺牲层的第二通孔；形成填充所述第二通孔的所述第一下电极；在去除所述牺牲柱的过程中还包括：去除所述下层牺牲层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一通孔的步骤包括：在所述上层牺牲层上形成多个相互分立的第一掩膜层，所述第一掩膜层为阵列排布；每一所述第一下电极在所述基底上的正投影均被多个所述第一掩膜层的正投影环绕，且所述第一下电极的正投影与所述第一掩膜层的正投影相间隔；形成第二掩膜层，所述第二掩膜层至少包括侧墙部，所述侧墙部环绕所述第一掩膜层的侧壁，所述侧墙部在基底上的正投影边缘与所述第一下电极的正投影边缘相接；形成第三掩膜层，所述第三掩膜层在所述基底上的正投影位于所述第一掩膜层和所述侧墙部的正投影以外的全部区域；形成所述第三掩膜层后，去除所述第一掩膜层和所述侧墙部，以所述第三掩膜层为掩膜刻蚀所述上层牺牲层，以形成所述第一通孔。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第二掩膜层，包括：在所述第一掩膜层和所述上层牺牲层上形成保形覆盖的所述第二掩膜层，所述第二掩膜层还包括主体部，所述主体部位于所述第一掩膜层的顶面以及相邻所述第一掩膜层之间；在去除所述第一掩膜层和所述侧墙部的过程中，还包括：去除位于所述第一掩膜层顶面的所述主体部，保留位于所述第三掩膜层正下方的所述主体部；以所述第三掩膜层以及位于所述第三掩膜层正下方的所述主体部为掩膜刻蚀所述上层牺牲层。5.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的过程与形成所述第二通孔的过程采用同一光罩，且所述光罩的
摆放位置不同，以使所述第一掩膜层在所述基底上的正投影与所述第二通孔的正投影相错开。6.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢经文，朱炳宇，许崇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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