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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，至少可以提高电容的稳定性和容量。制造方法包括：提供基底，形成位于基底上多个阵列排布的第一下电极，第一下电极的形状为柱状；形成位于第一下电极上的上层牺牲层；形成贯穿上层牺牲...
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