半导体结构制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体结构，包括：集成电路管芯，具有前侧和与前侧相对的背侧，并且具有在前侧上的多个接触部件，集成电路管芯具有位于背侧上的晶种层；密封剂；第一再分布层，包括接触焊盘和接合焊盘，位于集成电路管芯的背侧上；第一绝缘层，位于集成电路管芯的背侧上，接合焊盘介于集成电路管芯的背侧和第一绝缘层之间；焊料接头，介于晶种层与接合焊盘之间，其中，焊料接头在焊料接头与晶种层之间的界面处的宽度大于接合焊盘的宽度，并且焊料接头的宽度从焊料接头与晶种层之间的界面至焊料接头与接合焊盘之间的界面连续减小；导电通孔，延伸穿过密封剂；以及第二绝缘层，与密封剂、导电通孔和多个接触部件物理接触。触。触。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
[0001]分案申请
[0002]本申请是2018年05月09日提交的标题为“集成电路封装件及其形成方法”、专利申请号为201810438653.6的分案申请。


[0003]本专利技术实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体结构。

技术介绍

[0004]半导体器件用在诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常，在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来分割单独的管芯。然后，以多芯片模块或以封装的其他类型来将单独的管芯分别进行封装。
[0005]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体行业已经历了快速的发展。在很大程度上，集成密度的这种提高源自最小部件尺寸的重复减小(例如，将半导体工艺节点减小至亚20nm节点)，这允许在给定区域中集成更多的组件。由于最近对微型化、更高速度和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：集成电路管芯，所述集成电路管芯具有前侧和与所述前侧相对的背侧，所述集成电路管芯具有在所述前侧上的多个接触部件，所述集成电路管芯具有位于所述背侧上的晶种层；密封剂，围绕所述集成电路管芯；第一再分布层，位于所述集成电路管芯的所述背侧上，所述第一再分布层包括接触焊盘和接合焊盘；第一绝缘层，位于所述集成电路管芯的所述背侧上，所述接合焊盘介于所述集成电路管芯的所述背侧和所述第一绝缘层之间，所述接触焊盘的部分延伸到所述第一绝缘层中；焊料接头，介于所述晶种层与所述接合焊盘之间，其中，所述焊料接头在所述焊料接头与所述晶种层之间的界面处的宽度大于所述接合焊盘的宽度，并且所述焊料接头的宽度从所述焊料接头与所述晶种层之间的界面至所述焊料接头与所述接合焊盘之间的界面连续减小；导电通孔，延伸穿过所述密封剂，所述导电通孔与所述接触焊盘物理接触；以及第二绝缘层，与所述密封剂、所述导电通孔和所述多个接触部件物理接触。2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：第二再分布层，与所述集成电路管芯的所述多个接触部件电接触，其中，所述导电通孔将所述第一再分布层电连接至所述第二再分布层。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述接触焊盘和所述接合焊盘彼此电绝缘。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述密封剂沿所述晶种层的侧壁和所述焊料接头的侧壁延伸。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述接合焊盘的表面与所述密封剂的第一表面齐平。6.一种半导体结构，包括：密封剂，所述密封剂具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第一再分布层，位于所述密封剂的第一侧上，所述第一再分布层包括接触焊盘和接合焊盘；第一绝缘层，与所述密封剂的第一侧物理接触，所述接触焊盘的部分嵌入在所述第一绝缘层中；集成电路管芯，嵌入在所述密封剂中，所述集成电路管芯具有前侧和与所述前侧相对的背侧，所述集成电路管芯具有覆盖所述集成电路管芯的所述背侧的晶种层；焊料接头，将所述晶种层接合到所述接合焊盘，其中，所述集成电路管芯的宽度大于所述接合焊盘的宽度，所述焊料接头的宽度从所述焊料接头与所述晶种层之间的界面至所述焊料接头与所述接合焊盘之间的界面连续减小；导电通孔，位于所述密封剂内，所述导电通孔从所述接触焊盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，郭宏瑞，何明哲，李宗徽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：