横向扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法技术

本申请实施例公开了一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法，该横向扩散金属氧化物半导体晶体管包括：衬底，该衬底包括沿第一方向设置，且表面位于该衬底的第一表面内的源区、体区、漂移区、漏区，其中，该第一方向为平行于该衬底第一表面的方向；第一调制栅极，靠近该体区设置；钝化层，靠近该漂移区设置；该钝化层包括：沿该第一方向交替设置的第一绝缘介质和第二绝缘介质；该第二绝缘介质的介电常数和该第一绝缘介质的介电常数不同。由此，将介电常数不同的第一绝缘介质和第二绝缘介质交替设置，可以避免在第一绝缘介质或第二绝缘介质上形成额外电流，使得钝化层更耐击穿，提升了横向扩散金属氧化物半导体晶体管的抗击穿性能。穿性能。穿性能。穿性能。

Transverse diffusion metal oxide semiconductor transistor and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：晏锦辉，张孝坤，杨承瑜，贾秋凌，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：