半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构和源漏插塞，且所述栅极结构和源漏插塞之间具有牺牲侧墙；在所述源漏插塞上形成源漏接触孔；在所述栅极结构上形成栅极接触孔；形成所述源漏接触孔和栅极接触孔之后，去除所述牺牲侧墙，在所述栅极结构和源漏插塞之间形成空腔；在所述栅极结构和源漏插塞上形成介质层，且所述介质层封闭所述空腔顶部。所述方法形成的半导体结构的性能较好。结构的性能较好。结构的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于高器件密度、高性能和低成本的需求，半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。
[0003]随着CMOS器件尺寸的不断缩小，来自制造和设计方面的挑战促使了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管，FinFET是用于20nm及以下工艺节点的先进半导体器件，其可以有效控制器件按比例缩小所导致的难以克服的短沟道效应，还可以有效提高在衬底上形成的晶体管阵列的密度，同时，FinFET中的栅极环绕鳍片(鳍形沟道)设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能也更突出。
[0004]然而，现有技术形成的鳍式场效应晶体管的性能有待提升。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的形成栅极结构和源漏插塞，所述栅极结构和源漏插塞之间具有空腔；位于所述源漏插塞上的源漏接触孔；位于所述栅极结构上的栅极接触孔；位于所述栅极结构和源漏插塞上的介质层，且所述介质层封闭所述空腔顶部。2.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构和源漏插塞，且所述栅极结构和源漏插塞之间具有牺牲侧墙；在所述源漏插塞上形成源漏接触孔；在所述栅极结构上形成栅极接触孔；形成所述源漏接触孔和栅极接触孔之后，去除所述牺牲侧墙，在所述栅极结构和源漏插塞之间形成空腔；在所述栅极结构和源漏插塞上形成介质层，且所述介质层封闭所述空腔顶部。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构、源漏插塞以及牺牲侧墙的形成方法包括：在所述基底上形成栅极结构和牺牲材料膜，所述牺牲材料膜覆盖所述栅极结构侧壁表面；在所述牺牲材料膜内形成所述源漏插塞，且所述源漏插塞和栅极结构之间的所述牺牲材料膜形成所述牺牲侧墙。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构和牺牲材料膜的形成方法包括：在所述基底上形成伪栅极结构；在所述基底上形成牺牲材料膜，且所述牺牲材料膜覆盖所述伪栅极结构侧壁表面；去除所述伪栅极结构，在所述牺牲材料膜内形成伪栅开口；在所述伪栅开口内形成所述栅极结构。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述伪栅极结构之后，形成所述牺牲材料膜之前，在所述伪栅极结构侧壁表面形成侧墙；所述牺牲材料膜覆盖所述侧墙侧壁表面。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述侧墙之后，形成所述牺牲材料膜之前，在所述伪栅极结构和侧墙两侧的基底内形成源漏掺杂区；形成所述源漏掺杂区之后，形成所述源漏插塞，且所述源漏插塞底部与所述源漏掺杂区表面相接触。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏插塞的顶部表面高于所述栅极结构的顶部表面。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述栅极结构和牺牲材料膜之后，形成所述源漏插塞之前，在所述牺牲材料膜表面和栅极结构表面形成第一牺牲层；在所述牺牲材料膜和第一牺牲层内形成所述源漏插塞。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏插塞的形成方法包括：在所述牺牲材料膜和第一牺牲层内形成插塞开口，所述插塞开口暴露出所述源漏掺杂区表面；在所述插塞开口内和第一牺牲层表面形成源漏插塞材料膜；平坦化所述源漏插
塞材料膜，直至暴露出第一牺牲层表面，在所述插塞开口内形成所述源漏插塞。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述插塞开口之后，形成所述源漏插塞材料膜之前，在所述插塞开口侧壁表面形成第一保护层，且所述第一保护层和牺牲侧墙的材料不同。11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏插塞材料膜的形成方法包括：在所述插塞开口底部和侧壁表面以及第一牺牲层表面形成插塞阻挡材料膜；在所述插塞阻挡材料膜表面形成插塞导电材料膜，且所述插塞导电材料膜填充满所述插塞开口。12.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述源漏插塞之后，形成所述源漏接触孔之前，刻蚀部分所述源漏插塞，在所述第一牺牲层内形成阻挡开口；在所述阻挡开口内形成阻挡层，所述阻挡层位于刻蚀之后的源漏插塞顶部表面，且所述阻挡层的宽度大于所述源漏插塞的宽度；形成所述阻挡层之后，形成所述源漏接触孔，所述源漏接触孔位于刻蚀之后的源漏插塞顶部表面且贯穿所述阻挡层。13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡开口的形成方法包括：在所述源漏插塞表面和第一牺牲层表面形成掩膜层，所述掩膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓武锋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：