半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底；衬底上的鳍部；横跨鳍部的栅极结构；侧墙，位于部分栅极结构的侧壁上，且顶部表面低于栅极结构的顶部表面；介质层，位于栅极结构露出的衬底和鳍部上；第一开口，沿垂直于栅极结构延伸方向的方向贯穿栅极结构；第二开口，位于栅极结构两侧，且与第一开口连通；第三开口，位于栅极结构两侧，底部暴露出侧墙的顶部表面，与第二开口连通，第二开口位于第三开口与第一开口之间，且深度大于第三开口的深度；隔离结构，填充部分第一开口、第二开口以及第三开口，在第一开口、第二开口以及第三开口内围成孔洞。本发明专利技术实施例提供的半导体结构，有利于减小寄生电容，提高半导体结构的性能。提高半导体结构的性能。提高半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小。为了适应特征尺寸的减小，MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。
[0003]随着栅电极长度的不断减小，MOS晶体管中最严重的寄生电容存在于栅电极与源漏区之上的栓塞(contact
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plug)之间，除此之外，在具有栅极切断的半导体结构中，相对的栅极之间也存在寄生电容，而减少寄生电容是改善小尺寸MOS晶体管的响应速度、功耗等的主要方法。但是目前的MOS晶体管结构中一般采用侧墙(spacer)来隔离栅极结构与栓塞，采用隔离结构来隔离切断的栅极结构，而侧墙和隔离结构的材料一般为氮化硅、氧化硅等，由于氮化硅、氧化硅等材料的介电常数较大，使得半导体结构的寄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有若干相互分立的鳍部；栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部；侧墙，位于部分所述栅极结构的侧壁上，所述侧墙的顶部表面低于所述栅极结构的顶部表面；介质层，位于所述栅极结构露出的所述衬底和所述鳍部上；第一开口，位于所述介质层内，所述第一开口沿垂直于所述栅极结构延伸方向的方向贯穿所述栅极结构；第二开口，位于所述栅极结构两侧，且与所述第一开口连通；第三开口，位于所述栅极结构两侧，所述第三开口底部暴露出所述侧墙的顶部表面，所述第三开口与所述第二开口连通，所述第二开口位于所述第三开口与所述第一开口之间，且所述第二开口的深度大于所述第三开口的深度；隔离结构，填充部分所述第一开口、第二开口以及第三开口，在所述第一开口、第二开口以及第三开口内围成孔洞。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的所述鳍部内，所述介质层覆盖所述源漏掺杂层的表面。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：接触插塞，所述接触插塞位于所述介质层内，且与所述源漏掺杂层电连接。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述侧墙的材料包括低k介质材料、超低k介质材料或氮化硅、氮氧化硅。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在在于，所述隔离结构的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或硅硼碳氮的其中一种或多种。6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有若干相互分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构的侧壁上形成有侧墙，所述栅极结构露出的所述衬底和所述鳍部上形成有介质层；去除部分所述栅极结构和所述侧墙，在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口沿垂直于所述栅极结构延伸方向的方向贯穿所述栅极结构和所述侧墙；沿所述栅极结构延伸方向去除部分所述侧墙，在所述栅极结构两侧形成第二开口，所述第二开口与所述第一开口连通；刻蚀剩余所述侧墙，至所述侧墙的顶部表面低于所述栅极结构的顶部表面，在所述栅极结构两侧形成第三开口，所述第三开口与所述第二开口连通，所述第二开口位于所述第三开口与所述第一开口之间，且所述第二开口的深度大于所述第三开口的深度；在部分所述第一开口、第二开口以及第三开口内形成隔离结构，所述隔离结构在所述第一开口、第二开口以及第二开口内围成孔洞。7.如权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：