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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构和源漏插塞，且所述栅极结构和源漏插塞之间具有牺牲侧墙；在所述源漏插塞上形成源漏接触孔；在所述栅极结构上形成栅极接触孔；形成所述源漏接触孔和栅极接触孔之后，去除所述牺...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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