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本申请实施例公开了一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法，该横向扩散金属氧化物半导体晶体管包括：衬底，该衬底包括沿第一方向设置，且表面位于该衬底的第一表面内的源区、体区、漂移区、漏区，其中，该第一方向为平行于该衬底第一表面的方向；第一...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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