【技术实现步骤摘要】
温度补偿振荡器及相关方法
[0001]本公开大体上涉及半导体装置，且更确切地说，涉及温度补偿振荡器及相关方法。
技术介绍
[0002]半导体装置广泛用于处理和/或存储与例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置相关的信息。通过编程存储器单元的不同状态来存储信息。存在各种类型的半导体存储器装置，例如非易失性存储器装置(例如，NOR快闪存储器装置、3维NAND快闪存储器装置等等)和易失性存储器装置(例如，动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)等等)。
[0003]一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度或以其它方式减少操作时延、增加可靠性、增加数据保持、减少电力消耗、减少由集成电路占据的面积或减少制造成本以及其它度量。减少制造成本的一种方式是改进制造工艺以便提高成功制造的装置的裕度。制造商可以通过实施例如增加制造步骤的一致性或公差(例如，材料的移除或沉积)、提高制造规模、减少存储器单元之间的可变性等等工艺来提高制造裕度。此外，制造商可通过校准存储器装置的输入/输出阻...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反相器，其包括：输入端子；输出端子；n沟道金属氧化物半导体nMOS晶体管；p沟道金属氧化物半导体pMOS晶体管，其在所述输出端子处连接到所述nMOS晶体管；及可变负载，其包含连接到电压源的第一端子和连接到所述pMOS晶体管的第二端子，所述可变负载经配置以依据所述反相器的操作温度而提供两个或更多个导电值。2.根据权利要求1所述的反相器，其中所述输入端子经配置以耦合到电阻器
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电容器RC网络的节点，并且其中：当所述操作温度在所述操作温度的第一范围内时，所述反相器响应于所述节点的电压小于所述反相器的第一触发电压而使其输出反相；且当所述操作温度在所述操作温度的第二范围内时，所述反相器响应于所述节点的所述电压小于所述反相器的第二触发电压而使其输出反相。3.根据权利要求2所述的反相器，其中：所述第一触发电压小于所述第二触发电压；且所述操作温度的所述第一范围低于所述操作温度的所述第二范围。4.根据权利要求2所述的反相器，其中所述可变负载具有与所述操作温度的所述第一范围对应的第一导电值以及与所述操作温度的所述第二范围对应的第二导电值，所述第一导电值小于所述第二导电值。5.根据权利要求2所述的反相器，其中：在从所述节点已经被充电到第一电压过去第一持续时间之后，所述节点的所述电压变得小于所述第一触发电压；且在从所述节点已经被充电到所述第一电压过去第二持续时间之后，所述节点的所述电压变得小于所述第二触发电压，所述第一持续时间和所述第二持续时间在预定范围内。6.根据权利要求1所述的反相器，其中所述可变负载包含多个导电路径，所述导电路径中的每一者安置于所述第一端子与所述第二端子之间，并且其中：所述多个导电路径中的各个导电路径耦合到温度传感器的对应端子，所述温度传感器经配置以感测所述操作温度，且响应于感测到所述操作温度而激活所述多个导电路径中的一或多个导电路径；且所述多个导电路径中的所述各个导电路径具有彼此不同的导电值。7.根据权利要求6所述的反相器，其中：所述多个导电路径中的第一导电路径包含第一MOS晶体管；且所述多个导电路径中的第二导电路径包含第二MOS晶体管，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管具有彼此不同的沟道宽度和/或长度。8.根据权利要求1所述的反相器，其中所述可变负载包含在所述第一端子与所述第二端子之间的MOS晶体管，所述MOS晶体管的栅极耦合到温度传感器的输出端子，所述温度传感器经配置以感测所述操作温度。9.根据权利要求1所述的反相器，其中所述可变负载包含在所述第一端子与所述第二端子之间彼此串联连接的两个或更多个MOS晶体管，所述两个或更多个MOS晶体管中的至少
一个MOS晶体管具有耦合到温度传感器的输出端子的栅极，所述温度传感器经配置以感测所述操作温度。10.根据权利要求1所述的反相器，其中所述可变负载包含在所述第一端子与所述第二端子之间彼此串联连接的两个或更多个MOS晶体管，所述两个或更多个MOS晶体管中的至少一个MOS晶体管经配置为始终导电的。11.一种振荡器，其包括：电阻器，其具有连接到节点的第一端子；电容器，其连接到所述节点；上拉组件，其具有连接到所述节点的第...
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