振荡器电路及锁相环电路制造技术

本申请涉及振荡器电路技术领域，公开一种振荡器电路。电压基准电路提供电源电压；温度补偿电流源电路的输入端连接电压基准电路的输出端，温度补偿电流源电路根据电源电压生成温度补偿电流；环形振荡器连接电压基准电路的输出端，环形振荡器还连接温度补偿电流源电路的输出端，环形振荡器根据温度补偿电流对电源电压提供的恒定电流进行电流限制，并根据电源电压和电源电压提供的恒定电流生成时钟信号。由于环形振荡器根据温度补偿电流对电源电压提供的恒定电流进行电流限制，提高环形振荡器的电源抑制比，从而降低了环形振荡器生成的时钟信号的相位噪声，从而提供了一种高精度的振荡器电路。本申请还公开一种锁相环电路。本申请还公开一种锁相环电路。本申请还公开一种锁相环电路。

【技术实现步骤摘要】
振荡器电路及锁相环电路


[0001]本申请涉及振荡器电路
，例如涉及一种振荡器电路及锁相环电路。

技术介绍

[0002]近场通信技术(NFC)是一种近距离无线通信技术，由射频识别技术发展而来，通信距离可达10cm，适用于保密性高，通信数据较少的场景，因此广泛用于身份识别，移动支付等领域。NFC通信时应答器的调制方式有两种，一种是无源负载调制，应答器通过天线耦合的询问器的载波信号。另一种是有源负载调制，应答器自身产生载波信号，协议要求应答器载波信号和询问器载波信号相差在30
°
以内，固定的相差意味着固定的频差，NFC通信时射频载波信号由锁相环产生，因此，对锁相环提出了更高的要求，而振荡器是锁相环的关键模块，其作用是输出一个符合频率要求和相位噪声要求的时钟信号，为了得到高精度的锁相环，亟需一种高精度的振荡器电路。

技术实现思路

[0003]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
[0004]本公开实施例提供一种振荡器电路及锁相环电路，以提供一种高精度的振荡器电路。
[0005]在一些实施例中，所述振荡器电路包括：电压基准电路，用于提供电源电压；温度补偿电流源电路，输入端连接所述电压基准电路的输出端，所述温度补偿电流源电路用于根据所述电源电压生成温度补偿电流；环形振荡器，连接所述电压基准电路的输出端，所述环形振荡器还连接所述温度补偿电流源电路的输出端，所述环形振荡器用于根据所述温度补偿电流对电源电压提供的恒定电流进行电流限制，并根据所述电源电压和所述恒定电流生成时钟信号。
[0006]在一些实施例中，所述锁相环电路包括：包括如上述的振荡器电路。
[0007]本公开实施例提供的振荡器电路及锁相环电路，可以实现以下技术效果：环形振荡器根据温度补偿电流对电源电压提供的恒定电流进行电流限制，并根据电源电压和恒定电流生成时钟信号。由于环形振荡器根据温度补偿电流对电源电压提供的恒定电流进行了电流限制，从而提高了环形振荡器的电源抑制比，进而降低了时钟信号的相位噪声，从而提供了一种高精度的振荡器电路。
[0008]以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
[0009]一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不
构成比例限制，并且其中：
[0010]图1是本公开实施例提供的一个振荡器电路的结构示意图；
[0011]图2是本公开实施例提供的一个电压基准电路的结构示意图；
[0012]图3是本公开实施例提供的一个温度补偿电流源电路的结构示意图；
[0013]图4是本公开实施例提供的一个环形振荡器的结构示意图；
[0014]图5是本公开实施例提供的一个带电流限制的差分反相器单元的结构示意图；
[0015]图6是本公开实施例提供的一个锁相环电路的结构示意图。
[0016]附图标记：
[0017]1：电压基准电路；2：温度补偿电流源电路；3：环形振荡器；4：第一NMOS(N
‑
Metal
‑
Oxide
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Semiconductor，N型金属
‑
氧化物
‑
半导体)管；5：第一PMOS(positive channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道金属氧化物半导体)管；6：第二PMOS管；7：第一可调电阻；8：第二可调电阻；9：放大器；10：第一电流源；11：第二NMOS管；12：第三NMOS管；13：第三PMOS管；14：第一电阻；15：第二电阻；16：第二电流源；17：带电流限制的第一差分反相器单元；18：带电流限制的第二差分反相器单元；19：带电流限制的第三差分反相器单元；20：第四PMOS管；21：第五PMOS管；22：第四NMOS管；23：第五NMOS管；24：第六NMOS管；25：第七NMOS管；26：分频器(DIV，divider)；27：鉴频鉴相器(PFD，Phase Frequency Detector)；28：电荷泵(CP，Charge Pump)；29：滤波器(LPF，low
‑
pass filters)；30：控制电流生成电路；31：振荡器电路(VCO，voltage
‑
controlled oscillator)；32：第三电阻；33：电容。
具体实施方式
[0018]为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与
技术实现思路
，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
[0019]本公开实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
[0020]本公开实施例中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本公开实施例及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本公开实施例中的具体含义。
[0021]另外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术
人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开实施例中的具体含义。
[0022]除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。
[0023]本公开实施例中，字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如，A/B表示：A或B。
[0024]术语“和/或”是一种描述对象的关联关系，表示可以存在三种关系。例如，A和/或B，表示：A或B，或，A和B这三种关系。
[0025]需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种振荡器电路，其特征在于，包括：电压基准电路，用于提供电源电压；温度补偿电流源电路，输入端连接所述电压基准电路的输出端，所述温度补偿电流源电路用于根据所述电源电压生成温度补偿电流；环形振荡器，连接所述电压基准电路的输出端，所述环形振荡器还连接所述温度补偿电流源电路的输出端，所述环形振荡器用于根据所述温度补偿电流对电源电压提供的恒定电流进行电流限制，并根据所述电源电压和所述恒定电流生成时钟信号。2.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述电压基准电路包括：第一NMOS管，源极接地，所述第一NMOS管的栅极连接放大器的输出端，所述第一NMOS管的漏极分别连接放大器的第一输入端、第一PMOS管的漏极、所述温度补偿电流源电路和所述环形振荡器；所述第一PMOS管，栅极连接第二PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极连接参考电源；所述第二PMOS管，源极连接参考电源，所述第二PMOS管的栅极分别连接所述第二PMOS管的漏极和第一电流源的一端；第一可调电阻，一端接地，所述第一可调电阻的另一端连接第二可调电阻的一端；所述第二可调电阻，另一端连接参考电源；所述放大器，第二输入端连接所述第一可调电阻的另一端；所述第一电流源，另一端接地。3.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述温度补偿电流源电路包括：第二NMOS管，漏极接地，所述第二NMOS管的栅极连接第三NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的源极分别连接第一电阻的一端和第三PMOS管的栅极；所述第三NMOS管，漏极接地，所述第三NMOS管的栅极分别连接所述第三NMOS管的源极和第二电流源的一端；所述第三PMOS管，漏极连接所述环形振荡器，所述第三PMOS管的源极连接第二电阻的一端；所述第一电阻，另一端连接所述电压基准电路；所述第二电阻，另一端连接所述电压基准电路；所述第二电流源，另一端连接所述电压基准电路。4.根据权利要求3所述的振荡器电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻具有不同的温度系数。5.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述环形振荡器包括：N个带电流限制的差...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金煌，
申请(专利权)人：北京紫光青藤微系统有限公司，
类型：发明
国别省市：