一种自适应温度和电源电压的环形振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，包括：电源电压－电流转换器、CATA电流发生器和电流控制振荡器；电源电压－电流转换器，用于对电路中产生的负温度特性和正温度特性进行抵消，输出与电源电压成正比的第一电流；CATA电流发生器，用于使预设阈值电压MOS管的宽长比大于常规阈值电压MOS管的宽长比，输出与温度成负斜率线性关系的第二电流；电流控制振荡器，用于获取第一电流和第二电流相减之后的总电流作为输入，输出振荡频率。与现有技术相比，该器件电路结构简单，实现对温度和电源电压的双重补偿，可广泛应用于SoC系统中，提高了器件的适用性。提高了器件的适用性。提高了器件的适用性。

【技术实现步骤摘要】
一种自适应温度和电源电压的环形振荡器


[0001]本专利技术涉及振荡器的
，特别是涉及一种自适应温度和电源电压的环形振荡器。

技术介绍

[0002]开环的片上环形振荡器是SoC芯片的重要模块，SoC芯片要求其系统程序工作于稳定的时钟频率上，理想情况下不随外界环境变化而变化，其中，影响电路工作的环境因素指温度和电源电压。
[0003]片上环形振荡器的通用结构为电流源偏置的单端或差分的奇数级反相器链，其振荡频率由环路的总延时决定。假设反相器链上的每一级的结构相同，则总的延时大小由单级延时决定。单级反相器的延时由其尺寸、偏置电流、阈值电压、载流子迁移率及负载电容等决定。假设尺寸固定，则负载电容固定，反相器的延时主要取决于偏置电流、载流子迁移率及阈值电压。对于电流源偏置的反相器来说，其对负载电容的充放电时间与载流子迁移率相关度较小，因此可以忽略载流子迁移率对延时的影响。阈值电压直接影响翻转电平，且阈值电压随着温度增大而线性减小，因此恒定电流偏置环形振荡器谐振频率随着温度升高而线性增大，使得恒定电流偏置环形振荡器无法直接应用于SoC设计中。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，其特征在于，包括：电源电压－电流转换器、CATA电流发生器和电流控制振荡器；其中，所述电源电压－电流转换器，用于对电路中产生的负温度特性和正温度特性进行抵消，输出与电源电压成正比的第一电流；所述CATA电流发生器，用于通过设置预设阈值电压MOS管和常规阈值电压MOS管，以使所述预设阈值电压MOS管的宽长比大于所述常规阈值电压MOS管的宽长比，输出与温度成负斜率线性关系的第二电流；所述电流控制振荡器，用于获取所述第一电流和所述第二电流相减之后的总电流作为所述电流控制振荡器的输入，输出振荡频率。2.如权利要求1所述的一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，其特征在于，所述电源电压－电流转换器，包括：第一电源电压、第二电源电压、第一接地、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管和第一电阻；其中，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅端分别与所述第二电源电压相连接；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源端分别与所述第一电源电压相连接；所述第一PMOS管的栅端和所述第二PMOS管的栅端、漏端分别与所述第一NMOS管的漏端相连接；所述第三PMOS管的栅端和第四PMOS管栅端、漏端分别与所述第二NMOS管的漏端相连接；所述第一PMOS管的源端与所述第一接地连接；所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的源端分别与所述第一PMOS管的漏端相连接；所述第三PMOS管的漏端分别与所述第四PMOS管的源端和所述第一电阻的第一端相连接；栅漏短接的所述第三NMOS管的栅漏端和所述第四NMOS管的栅端分别与所述第一电阻的第二端相连接；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源端分别与所述第一电源电压相连接；栅漏短接的所述第五PMOS管的栅漏端和所述第六PMOS管的栅端分别与所述第四NMOS管的漏端相连接；所述第五PMOS管和所述第六PMOS管的源端分别与所述第一接地相连接，所述第六PMOS管的漏端为所述电源电压－电流转换器的电流输出端。3.如权利要求2所述的一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，其特征在于，所述CATA电流发生器，包括：第三电源电压、第二接地、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐华超，胡胜发，
申请(专利权)人：广州安凯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：