一种金属氧化物半导体场效应管制造技术

本发明专利技术公开了一种金属氧化物半导体场效应管，涉及半导体场效应管技术领域。包括框架，所述框架的内部安装有一号P形半导体，所述一号P形半导体顶端的一侧安装有一号N形半导体，所述一号P形半导体顶端的另一侧安装有二号N形半导体，所述一号P形半导体底端的一侧安装有三号N形半导体，所述一号P形半导体底端的另一侧安装有四号N形半导体，所述三号N形半导体和四号N形半导体之间安装有N形半导体通道。本发明专利技术通过增强型金属氧化物半导体场和耗尽型金属氧化物半导体场相互作用的设置，使得该装置还具有了控制两个不能够同时工作的装置的运行，该设计保证了上述两个工作装置的互不干扰，保证了机械的正常运行。保证了机械的正常运行。保证了机械的正常运行。

A metal oxide semiconductor field effect transistor

【技术实现步骤摘要】
一种金属氧化物半导体场效应管


[0001]本专利技术涉及半导体场效应管
，具体为一种金属氧化物半导体场效应管。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体场效应管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管。
[0003]目前部分的金属氧化物半导体场效应管具有的功能是控制两个引脚之间电流的开关，或是通过栅极金属板上的电荷的多少控制两个引脚之间电流的大小，该效应管功能过于单一为此提出了一种金属氧化物半导体场效应管。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种金属氧化物半导体场效应管，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种金属氧化物半导体场效应管，包括框架，所述框架的内部安装有电效应场，所述电效应场的内部安装有一号P形半导体，所述一号P形半导体顶端的一侧安装有一号N形半导体，所述一号P形半导体顶端的另一侧安装有二号N形半导体，所述一号P形半导体底端的一侧安装有三号N形半导体，所述一号P形半导体底端的另一侧安装有四号N形半导体，所述三号N形半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物半导体场效应管，包括框架(31)，其特征在于：所述框架(31)的内部安装有电效应场(32)，所述电效应场(32)的内部安装有一号P形半导体(5)，所述一号P形半导体(5)顶端的一侧安装有一号N形半导体(1)，所述一号P形半导体(5)顶端的另一侧安装有二号N形半导体(2)，所述一号P形半导体(5)底端的一侧安装有三号N形半导体(3)，所述一号P形半导体(5)底端的另一侧安装有四号N形半导体(4)，所述三号N形半导体(3)和四号N形半导体(4)之间安装有N形半导体通道(8)，所述一号P形半导体(5)的顶端安装有增强型金属氧化物半导体场，所述一号P形半导体(5)的底端安装有耗尽型金属氧化物半导体场，所述一号P形半导体(5)的顶端固定连接有一号氧化层(6)，所述所述一号P形半导体(5)的底端固定连接有二号氧化层(7)，所述一号氧化层(6)的顶端安装有一号金属板(9)，所述二号氧化层(7)的底端安装有二号金属板(10)，所述一号金属板(9)和二号金属板(10)均电性连接有栅极G。2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述增强型金属氧化物半导体场包括一号源级G板(11)和一号漏级D板(12)，一号源级G板(11)的底端和一号氧化层(6)的顶端固定，一号漏级D板(12)的底端和一号氧化层(6)的顶端固定，一号源级G板(11)的底端贯穿一号氧化层(6)和一号N形半导体(1)接触，一号漏级D板(12)的底端贯穿一号氧化层(6)和二号N形半导体(2)接触，所述一号源级G板(11)的顶端电性连接有一号源级G线(15)，所述一号漏级D板(12)的顶端电性连接有一号漏级D线(16)，所述一号源级G线(15)电性连接有一号工作场，所述一号漏级D线(16)电性连接有一号工作场。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪侠，王全，邹有彪，张荣，徐玉豹，
申请(专利权)人：富芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：