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本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应管，涉及半导体场效应管技术领域。包括框架，所述框架的内部安装有一号P形半导体，所述一号P形半导体顶端的一侧安装有一号N形半导体，所述一号P形半导体顶端的另一侧安装有二号N形半导体，所述一号P形半导体底端...
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