一种用于ESD保护的高维持电压环流SCR结构制造技术

本发明专利技术提出了一种用于ESD保护的高维持电压环流SCR结构，该结构采用了新的环流触发路径理论，与传统提升Vh的SCR器件有着基础理论上的不同。通过改变SCR器件内部的PNP和NPN触发电流流向，即可巧妙地实现高维持电压，同时，该器件不需要增加任何工序和额外掩模版，仅通过版图设计即可实现，十分适用于集成电路抗闩锁ESD保护。锁ESD保护。锁ESD保护。

A high sustaining voltage circulating current SCR structure for ESD protection

【技术实现步骤摘要】
一种用于ESD保护的高维持电压环流SCR结构


[0001]本专利技术属于电子科学与
，主要用于提高可控硅(SCR)器件的静电泄放(Electro Static Discharge，简称为ESD)抗闩锁能力。具体是指通过改变SCR触发路径，在工艺条件不变的原则下改变SCR体内触发顺序从而提高SCR器件维持电压的新型环流SCR结构。

技术介绍

[0002]SCR即半导体可控硅器件，其广泛用于各种浪涌或过压保护场合，如低压ESD保护，低容ESD保护等。然而，SCR在雪崩击穿后存在一个强的电压回扫(snapback)，当ESD等过压脉冲结束后，若系统电源电压高于SCR固有的维持电压(Vh)会导致器件极易发生闩锁效应(Latch
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up，即LU)，因此提高SCR的维持电压以免发生LU是ESD保护中一个重要研究方向。传统的提高维持电压方式可分为有3个大类，一是通过降低寄生PNP/NPN的基区输运系数；二是降低SCR中寄生晶体管的发射效率，三是嵌入其他通道。不同以往，本专利技术中将要说明的新型环流SCR将通过改变SCR触发路径的方法提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于ESD保护的高维持电压环流SCR结构，其特征在于，包括：第一SN注入(01)、第二SN注入(02)、第一SP注入(11)、第二SP注入(12)、第三SP注入(13)、第四SP注入(14)、N阱(21)、Pbody区(31)、阳极金属线(41)、跨接金属线(42)、阴极金属线(43)；其中，N阱(21)位于Pbody区(31)内部左边区域，N阱(21)内部制作有高浓度的第一SN注入(01)和第一SP注入(11)，第一SN注入(01)位于第一SP注入(11)的左侧，第一SN注入(01)和第一SP注入(11)通过阳极金属线(41)作为器件的阳极；在N阱(21)右侧的Pbody区(31)中，从左至右制作有第二SP注入(12)、第四SP注入(14)、第二SN注入(02)、第三SP注入(13)，其中第四SP注入(14)和第二SN注入(02)通过阴极金属线(43)相连并接地作为阴极，第二SP注入(12)和第三SP注入(13)通过跨接金属线(42)相连。2.一种用于ESD保护的高维持电压环流SCR结构，其特征在于：包括第一SN注入(01)、第二SN注入(02)、第一SP注入(11)、第四SP注入(14)、N阱(21)、Pbody区(31)、阳极金属线(41)、阴极金属线(43)；其中，N阱(21)位于Pbody区(31)内部左边区域，N阱(21)内部制作有高浓度的第一SN注入(01)和第一SP注入(11)，第一SN注入(01)位于第一SP注入(11)的右侧，第一SN注入(01)和第一SP注入(11)通过阳极金属线(41)作为器件的阳极；第一SP注入(11)左侧设有第零SN注入(00)，在第一SN注入(01)右侧设有第三SN注...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐钊，乔明，石勇刚，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：