高压ESD防护版图结构、集成电路和存储器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压ESD防护版图结构、集成电路和存储器，包括P阱区、N阱区、源极注入区、漏极注入区和栅极区，P阱区设置在衬底上，N阱区设置在P阱区内，源极注入区设置在P阱区内，且位于N阱区的一侧，漏极注入区设置在N阱区内，栅极区设置在P阱区的上方，且分别与源极注入区和漏极注入区连接。在使用时，P阱区接地端，N阱区接电源端，在P阱区和N阱区形成反偏的PN结，具有较高的阻抗，从而提高存储器的耐高压程度。高压程度。高压程度。

【技术实现步骤摘要】
高压ESD防护版图结构、集成电路和存储器


[0001]本技术涉及集成电路
，特别涉及一种高压ESD防护版图结构、集成电路和存储器。

技术介绍

[0002]在集成电路领域，静电放电(ESD)问题已经成为一个影响芯片可靠性的严重问题。当芯片发生ESD事件时，外部环境以及芯片内部积累的大量静态电荷能够瞬间通过芯片的引脚流过芯片内部，从而导致PN结击穿、金属熔断、栅氧化层击穿等问题的发生。为了实现ESD防护，现有的ESD防护器件中的MOS管大多是在P阱上注入N型杂质以形成MOS管的源极和漏极，然而这种结构的ESD防护器件的耐高压程度有限，不适合应用在高压静电放电的场合。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种高压ESD防护版图结构、集成电路和存储器，能够提高存储器的耐高压程度。
[0004]第一方面，根据本技术实施例的高压ESD防护版图结构，包括P阱区，设置在衬底上；N阱区，设置在所述P阱区内；源极注入区，设置在所述P阱区内，且位于所述N阱区的一侧；漏极注入区，设置在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压ESD防护版图结构，其特征在于，包括：P阱区(100)，设置在衬底上；N阱区(200)，设置在所述P阱区(100)内；源极注入区(300)，设置在所述P阱区(100)内，且位于所述N阱区(200)的一侧；漏极注入区(400)，设置在所述N阱区(200)内；栅极区(500)，设置在所述P阱区(100)的上方，且分别与所述源极注入区(300)和所述漏极注入区(400)连接。2.根据权利要求1所述的高压ESD防护版图结构，其特征在于，所述源极注入区(300)为N型注入区。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：张登军，马亮，安友伟，伍惠瑜，刘大海，
申请(专利权)人：合肥博雅半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：