有机电致发光器件及包含其的电子装置制造方法及图纸

本申请提供一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件的发光层主体材料包括第一主体化合物和第二主体化合物，第一主体化合物具有电子特征相对较强的双极特征，而第二主体化合物为其具有空穴特征相对较强的双极特征，二者搭配应用，增加电荷迁移率和稳定性，从而显著地改良发光效率和寿命特征。该有机电致发光器件的发光层与阳极之间还包括一层空穴调整层，该层可以调整空穴传输层的厚度，并且需要具有与发光层主体材料相匹配的能级，以调整空穴注入及传输，并有效阻止发光层中的电子进入空穴传输层，该层可以调整器件的载流子传输性能，提高电子和空穴结合率，进而提升器件的发光效率。率。率。

Organic electroluminescent devices and electronic devices containing them

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光器件及包含其的电子装置


[0001]本申请涉及有机电致发光
，具体而言，涉及一种有机电致发光器件及包含其的电子装置。

技术介绍

[0002]近年来，有机电致发光器件(OLED，Organic electroluminescent device)作为下一代平板显示技术已受到人们的广泛关注。与液晶显示器LCD相比，OLED具有更宽广的色域、更高的对比度、更宽的温度适应范围、更快的响应时间以及可以实现柔性显示等。
[0003]有机电致发光器件(OLED)通常包含阳极、阴极和在这两个电极之间形成的有机层。该有机层可以包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层(含有主体和掺杂剂材料)、电子传输层、电子注入层等。若对有机电致发光器件施加电压，则由阳极和阴极分别将空穴与电子注入到发光层。接着在发光层中，所注入的空穴与电子再结合，形成激子。激子处于激发态向外释放能量，进而使得发光层对外发光。
[0004]根据电子自旋的统计规则，单重态激子和三重态激子是按照25％：75％的比例生成。而且依据发光原理的分类，荧光发光是利用单重态激子的发光，所以25％是有机电致发光元件内量子效率的极限。而对于磷光发光来说，它是利用三重态激子的发光，因此在由三重态激子有效地进行系间窜越的情况下，理论上内量子效率可以达到100％(即利用所有的单重态和三重态激子)。对于有机电致发光器件，对应于荧光型和磷光型的发光机理来设计性能最优的元件。特别是对于磷光型的有机电致发光器件，由其发光特性已知，单纯地挪用荧光元件技术时，得不到高性能的元件。但是，随着产业化进程的加快，具备低功耗、高效率、长寿命的OLED材料和器件设计方案越来越多的引起人们的关注。目前更为常见的OLED器件结构中，由于空穴型(P)材料的迁移率普遍高于电子型(N)材料，主体材料却通常是单一的N型材料，使用单一的N型主体材料往往具有较低的空穴迁移率甚至具备很强的空穴阻挡作用，因此导致电子与空穴在发光层的复合不充分，能量利用率低，最终导致电流效率低且严重影响器件寿命。
[0005]目前，有机电致发光器件的使用过程中仍存在性能较差的问题，例如存在驱动电压过高、发光效率过低或者寿命较短等问题，这些都影响了机电致发光器件的使用领域，因此，仍有必要对该领域进行进一步研究，以改善有机电致发光器件的性能。

技术实现思路

[0006]本申请的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种有机电致发光器件及包含其的电子装置，可提高发光效率，延长器件寿命。
[0007]一方面，本申请提供一种有机电致发光器件，依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中空穴传输层与有机发光层之间还设有空穴调整层，所述空穴调整层中含有式I所示的化合物：
[0008][0009]其中，L选自单键或碳原子数为6
‑
20的取代或未取代的亚芳基；
[0010]Ar选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为12
‑
30的取代或未取代的杂芳基；
[0011]各R1、R2、R3、R4、R5和R6，相同或不同，分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基、碳原子数为1
‑
5的卤代烷基、碳原子数为1
‑
5的氘代烷基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基或碳原子数为1
‑
5的烷氧基；
[0012]R1～R6以R
i
表示，n1～n6以n
i
表示，i为变量，表示1、2、3、4、5或6，n1、n2、n3、n4、n5和n6分别表示R1、R2、R3、R4、R5和R6的个数；
[0013]其中，当i为1时，n
i
选自0、1、2或者3；当i为2、4、5或6时，n
i
选自0、1、2、3或者4；当i为3时，n
i
选自0、1、2、3、4或5，任意两个n
i
的取值相同或不同；
[0014]Ar和L中的取代基相同或不同，且分别独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为1
‑
5的卤代烷基、碳原子数为1
‑
5的氘代烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基、碳原子数为1
‑
5的烷氧基或碳原子数为5
‑
10的环烷基；任选地，在Ar中，任意两个相邻的取代基形成环；
[0015]所述有机发光层由发光层主体和掺杂剂组成，所述发光层主体包含第一主体化合物和第二主体化合物，所述第一主体化合物的结构如式II所示：
[0016][0017]式II中，X和Z各自独立地为O、S、—N＝或N(R7)，且X和Z中有且只有一个为—N＝；
[0018]R7选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为12
‑
30的取代或未取代的杂芳基；
[0019]R8选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为12
‑
30的取代或未取代的杂芳基；
[0020]各R9独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为1
‑
5的卤代烷基、碳原子数为1
‑
5的氘代烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基、碳原子数为1
‑
5的烷氧基，n9表示R9的个数，n9选自0、1、2、3、4、5、6或7；
[0021]Het为6
‑
18元缺电子含氮亚杂芳基；
[0022]L1、L2和L3各自独立地选自单键、碳原子数为6
‑
20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5
‑
18的取代或未取代的亚杂芳基；
[0023]Ar1和Ar2各自独立地为氢、碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代的杂芳基；
[0024]R7、R8、L1、L2、L3、Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为1
‑
5的卤代烷基、碳原子数为1
‑
5的氘代烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基、碳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.有机电致发光器件，依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中空穴传输层与有机发光层之间还设有空穴调整层，所述空穴调整层中含有式I所示的化合物：其中，L选自单键或碳原子数为6
‑
20的取代或未取代的亚芳基；Ar选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为12
‑
30的取代或未取代的杂芳基；各R1、R2、R3、R4、R5和R6相同或不同，分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基、碳原子数为1
‑
5的卤代烷基、碳原子数为1
‑
5的氘代烷基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基或碳原子数为1
‑
5的烷氧基；R1～R6以R
i
表示，n1～n6以n
i
表示，i为变量，表示1、2、3、4、5或6，n1、n2、n3、n4、n5和n6分别表示R1、R2、R3、R4、R5和R6的个数；其中，当i为1时，n
i
选自0、1、2或者3；当i为2、4、5或6时，n
i
选自0、1、2、3或4；当i为3时，n
i
选自0、1、2、3、4或5，任意两个n
i
的取值相同或不同；Ar和L中的取代基相同或不同，且分别独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为1
‑
5的卤代烷基、碳原子数为1
‑
5的氘代烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基、碳原子数为1
‑
5的烷氧基或碳原子数为5
‑
10的环烷基；任选地，在Ar中，任意两个相邻的取代基形成环；所述有机发光层由发光层主体和掺杂剂组成，所述发光层主体包含第一主体化合物和第二主体化合物，所述第一主体化合物的结构如式II所示：式II中，X和Z各自独立地为O、S、—N＝或N(R7)，且X和Z中有且只有一个为—N＝；R7选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为12
‑
30的取代或未取代的杂芳基；R8选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为12
‑
30的取代或未取代的杂芳基；各R9独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为1
‑
5的卤代烷基、碳原子数为1
‑
5的氘代烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基、碳原子
数为3
‑
12的三烷基硅基、碳原子数为1
‑
5的烷氧基，n9表示R9的个数，n9选自0、1、2、3、4、5、6或7；Het为6
‑
18元缺电子含氮亚杂芳基；L1、L2和L3各自独立地选自单键、碳原子数为6
‑
20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5
‑
18的取代或未取代的亚杂芳基；Ar1和Ar2各自独立地为氢、碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代的杂芳基；R7、R8、L1、L2、L3、Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为1
‑
5的卤代烷基、碳原子数为1
‑
5的氘代烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基、碳原子数为1
‑
5的烷氧基或碳原子数为5
‑
10的环烷基；所述第二主体化合物的结构由式III和式III
‑
2构成：式III中的*所示位置与式III
‑
2中任意两个相邻的*位置稠合连接；环A和环B各自独立地选自苯环或萘环；L4选自单键、碳原子数为6
‑
20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5
‑
18的取代或未取代的亚杂芳基；Ar3选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代的杂芳基；Y选自O、S或N(R
11
)，R
11
选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基或碳原子数为12
‑
30的取代或未取代的杂芳基；各R
a
、R
b
和R
10
分别独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为1
‑
5的卤代烷基、碳原子数为1
‑
5的氘代烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基或碳原子数为1
‑
5的烷氧基；n
a
表示R
a
的个数，n
a
选自0、1、2、3、4、5或6，当n
a
大于1时，任意两个R
a
相同或不同；n
b
表示R
b
的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马林楠，张鹤鸣，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：