发光装置及包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

本申请涉及发光装置，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及包括在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层和在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区的中间层，其中所述发射层可以包含掺杂剂，所述空穴传输区可以包括第一空穴传输层、在所述第一空穴传输层与所述发射层之间的第二空穴传输层和在所述第二空穴传输层与所述发射层之间的第三空穴传输层，所述第一空穴传输层可以包含第一化合物，所述第二空穴传输层可以包含第二化合物，所述第三空穴传输层可以包含第三化合物，以及所述第一化合物至所述第三化合物可以各自独立地是基于胺的化合物，但可以彼此不同。同。同。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月4日提交韩国知识产权局的第10
‑
2021
‑
0000446号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。


[0003]一个或多于一个的实施方案涉及发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置中的有机发光装置是自发射装置，并且与现有技术中的装置相比，具有广视角、优异的对比度，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面优异的特性。
[0005]有机发光装置可以具有其中第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上的结构。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

技术实现思路

[0006]根据一个或多于一个的实施方案的方面涉及具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及包括在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层和在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区的中间层，其中所述发射层包含掺杂剂，所述空穴传输区包括第一空穴传输层、在所述第一空穴传输层与所述发射层之间的第二空穴传输层和在所述第二空穴传输层与所述发射层之间的第三空穴传输层，所述第一空穴传输层包含第一化合物，所述第二空穴传输层包含第二化合物，所述第三空穴传输层包含第三化合物，所述第一化合物至所述第三化合物各自独立地是基于胺的化合物，并且彼此不同，以及满足等式1：等式1T1(HTM3)≥T1(D)+0.3eV，以及其中，在等式1中，T1(HTM3)是所述第三化合物的以eV计的三重态能级，T1(D)是所述掺杂剂的以eV计的三重态能级，以及T1(HTM3)和T1(D)是使用在B3LYP/6
‑
31G(d,p)水平上结构优化的高斯程序的密度泛函理论方法评价的值。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，所述中间层进一步包括在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区进一步包括空穴注入层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，以及所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输区进一步包含p
‑
掺杂剂。4.如权利要求1所述的发光装置，其中i)所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层直接接触，ii)所述第二空穴传输层与所述第三空穴传输层直接接触，或者iii)所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层直接接触，并且所述第二空穴传输层与所述第三空穴传输层直接接触。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第三空穴传输层与所述发射层直接接触。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一空穴传输层的厚度和所述第三空穴传输层的厚度各自独立地是5nm至80nm。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二空穴传输层的厚度大于或等于所述第一空穴传输层的厚度或所述第三空穴传输层的厚度。
8.如权利要求1所述的发光装置，其中T1(HTM3)是1.7eV以上且2.8eV以下。9.如权利要求1所述的发光装置，其中T1(HTM3)与T1(D)之间的差是0.3eV以上且0.8eV以下。10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一化合物至所述第三化合物各自独立地由式1
‑
1或式1
‑
2表示：式1
‑
1式1
‑
2其中，在式1
‑
1中，X1是*
‑
C(Z
1a
)(Z
1b
)
‑
*'，在式1
‑
2中，X2是单键、*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
C(Z
2a
)(Z
2b
)
‑
*'或*
‑
N(Z
2a
)(Z
2b
)
‑
*'，在式1
‑
1和式1
‑
2中，CY1至CY4各自独立地是C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，L1至L3各自独立地是单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，a1至a3各自独立地是0至5的整数，Ar1和Ar2各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，R1至R4、Z
1a
、Z
1b
、Z
2a
和Z
2b
各自独立地是：氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环
基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或者
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b1至b4各自独立地是0至10的整数，当b1是2或大于2时，两个或多于两个的R1中的两个R1任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C4‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，当b2是2或大于2时，两个或多于两个的R2中的两个R2任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C4‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，当b3是2或大于2时，两个或多于两个的R3中的两个R3任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C4‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，当b4是2或大于2时，两个或多于两个的R4中的两个R4任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C4‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金瑟雍，郑惠仁，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：