内连线结构制造技术

本发明专利技术公开一种内连线结构，形成在半导体元件中。内连线结构包括介电层设置在基板上方。所述介电层包含一区域及多个凸出结构。所述多个凸出结构分布在所述区域内。金属层设置在所述介电层上。所述多个凸出结构的顶部相对所述金属层是暴露。跨过所述区域的中间部分的任一个直线路径都会相交于所述多个凸出结构的一部分。的一部分。的一部分。

interconnect structures

【技术实现步骤摘要】
内连线结构


[0001]本专利技术涉及一种半导体制造技术，且特别是涉及半导体元件中的内连线(interconnect)结构。

技术介绍

[0002]半导体元件中都包含有内连线结构，用以在集成电路中连接相关联元件，而完成所需要的电路架构。
[0003]如一般所知，所需要的电路结构，可以使用半导体制造技术制造成半导体元件的结构，达成集成电路的制造。在导体元件的结构中例如会包含多个晶体管构件。这些晶体管需要使用内连线结构连接到其他元件。
[0004]也就是说，多种元件在基板上制造完成后，其需要内连线结构提供元件之间的电性连接。在基板上例如会有高元件密度的区域，以及低元件密度区域。低元件密度区域的内连线结构的线宽会较大。高元件密度的区域的内连线结构的线宽相对会较小。
[0005]内连线结构的材料一般例如是铜材料。在制造上，其一般会先形成有图案的介电层，其一般也称为内层介电层(inter
‑
layer dielectric layer)。介电层的图案提供要形成内连线结构的凹入图案。其后铜材料覆盖介电层的图案，其后再使用研磨工艺，磨除在介电层上的铜材料，而停止在介电层。留下来的铜材料会填入介电层的凹入图案，完成内连线结构的制造。
[0006]在基板上进行研磨工艺时，铜材料在高元件密度区域会与低元件密度区域所承受的研磨压力会随着介电层的凹入图案的密度而不同。在低元件密度区域的铜的线宽较大，容易产生下陷(dishing)，而降低内连线结构的质量。
[0007]对于内连线结构的制造，如何在低元件密度区域或是大线宽区域减少下陷现象的技术仍有待进一步研发。

技术实现思路

[0008]本专利技术提出内连线结构的制造，其例如在低元件密度区域或是大线宽区域的内连线，可以有效减少下陷现象，以维持内连线的设计厚度。
[0009]在一实施例，本专利技术提供一种内连线结构，形成在半导体元件中。内连线结构包括介电层，设置在所述基板上方，其中所述介电层包含一区域及多个凸出结构，所述多个凸出结构分布在所述区域内。金属层设置在所述介电层上。所述多个凸出结构的顶部相对所述金属层是暴露。跨过所述区域的中间区域的任一个直线路径都会相交于所述多个凸出结构的一部分。
[0010]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个凸出结构是规则分布构成在第一方向的多个行，其中所述多个行的相邻两个中的所述多个凸出结构，在所述第一方向是相互位移。
[0011]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个凸出结构的每一个包括:直条部，
延伸在所述第一方向；第一延长部在所述直条部的第一边；及第二延长部在所述直条部的第二边。所述第一延长部与所述第二延长部往相互相反且与所述第一方向相交的方向延伸。
[0012]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个凸出结构的每一个包括:第一直条部，延伸在所述第一方向；第一延长部在所述第一直条部的第一端部；及第二延长部在所述第一直条部的第二端部。所述第一延长部与所述第二延长部延伸于第二方向，所述第二方向与所述第一方向相交。
[0013]在一实施例，关于所述的内连线结构，其更包括:第二直条部，延伸在所述第二方向；第三延长部在所述第二直条部的第一端部；及第四延长部在所述第二直条部的第二端部。所述第三延长部与所述第四延长部延伸于第一方向。
[0014]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个凸出结构的每一个包括:第一直条部，延伸在所述第一方向；及第二直条部，在所述第一直条部的一边，延伸在所述第二方向。所述第一方向与所述第二方向相交。
[0015]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个凸出结构的每一个包括:第一直条部，延伸在所述第一方向；及第二直条部，延伸在所述第二方向，与所述第一直条部相交，构成十字结构。
[0016]在一实施例，关于所述的内连线结构，其还包括:第一弯折结构，设置在所述第一直条部的第一端部；及第二弯折结构，设置在所述第一直条部的第二端部。
[0017]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述第一端部与所述第二端部相对所述第一直条部是在所述第二方向延伸。
[0018]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个凸出结构包括:弯折条部，延伸在一方向，其中弯折条部的弯折形状是脉冲信号形状；直条部，延伸在所述方向，与所述弯折条部相邻。多个延长部在所述直条部的左边与右边，垂直于所述方向，对应所述弯折条部的凹折区域而交替配置。
[0019]在一实施例，本专利技术还提供一种内连线结构，形成在半导体元件中。内连线结构包括金属层，设置在基板上。所述金属层有一区域及多个细缝结构，所述多个细缝结构分布在所述区域内。跨过所述区域的中间区域的任一个直线路径都会相交于所述多个细缝结构的一部分。
[0020]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个细缝结构是规则分布构成在第一方向的多个行，其中所述多个行的相邻两个中的所述多个细缝结构，在所述第一方向是相互位移。
[0021]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个细缝结构的每一个包括:直细缝部，延伸在所述第一方向；第一延长部在所述直细缝部的第一边；及第二延长部在所述直细缝部的第二边。所述第一延长部与所述第二延长部往相互相反且与所述第一方向相交的方向延伸。
[0022]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个细缝结构的每一个包括:第一直细缝部，延伸在所述第一方向；第一延长部在所述第一直细缝部的第一端部；及第二延长部在所述第一直细缝部的第二端部。所述第一延长部与所述第二延长部延伸于第二方向，所述第二方向与所述第一方向相交。
[0023]在一实施例，关于所述的内连线结构，其更包括:第二直细缝部，延伸在所述第二方向；第三延长部在所述第二直细缝部的第一端部；及第四延长部在所述第二直细缝部的第二端部。所述第三延长部与所述第四延长部延伸于第一方向。
[0024]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个细缝结构的每一个包括:第一直细缝部，延伸在所述第一方向；及第二直细缝部，在所述第一直细缝部的一边，延伸在所述第二方向。所述第一方向与所述第二方向相交。
[0025]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个细缝结构的每一个包括:第一直细缝部，延伸在所述第一方向；及第二直细缝部，延伸在所述第二方向，与所述第一直细缝部相交，构成十字结构。
[0026]在一实施例，关于所述的内连线结构，其还包括:第一弯折结构，设置在所述第一直细缝部的第一端部；及第二弯折结构，设置在所述第一直细缝部的第二端部。
[0027]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述第一端部与所述第二端部相对所述第一直细缝部是在所述第二方向延伸。
[0028]在一实施例，关于所述的内连线结构，所述多个细缝结构包括:弯折细缝部，延伸在一方向，其中弯折细缝部的弯折形状是脉冲信号形状；直细缝部，延伸在所述方向，与所述弯折细缝部相邻；及多个延长部，在所述直细缝部的左边与右边，垂直于所述方向，对应所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内连线结构，形成在半导体元件中，其特征在于，包括:介电层，设置在基板上方，其中所述介电层包含一区域及多个凸出结构，所述多个凸出结构分布在所述区域内；以及金属层，设置在所述介电层上，其中所述多个凸出结构的顶部相对所述金属层是暴露，其中跨过所述区域的中间区域的任一个直线路径都会相交于所述多个凸出结构的一部分。2.根据权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，所述多个凸出结构是规则分布构成在第一方向的多个行，其中所述多个行的相邻两个中的所述多个凸出结构，在所述第一方向是相互位移。3.根据权利要求2所述的内连线结构，其特征在于，所述多个凸出结构的每一个包括:直条部，延伸在所述第一方向；第一延长部在所述直条部的第一边；及第二延长部在所述直条部的第二边，其中所述第一延长部与所述第二延长部往相互相反且与所述第一方向相交的方向延伸。4.根据权利要求2所述的内连线结构，其特征在于，所述多个凸出结构的每一个包括:第一直条部，延伸在所述第一方向；第一延长部在所述第一直条部的第一端部；及第二延长部在所述第一直条部的第二端部，其中所述第一延长部与所述第二延长部延伸于第二方向，所述第二方向与所述第一方向相交。5.根据权利要求4所述的内连线结构，其特征在于，还包括:第二直条部，延伸在所述第二方向；第三延长部在所述第二直条部的第一端部；及第四延长部在所述第二直条部的第二端部，其中所述第三延长部与所述第四延长部延伸于第一方向。6.根据权利要求2所述的内连线结构，其特征在于，所述多个凸出结构的每一个包括:第一直条部，延伸在所述第一方向；及第二直条部，在所述第一直条部的一边，延伸在所述第二方向，其中所述第一方向与所述第二方向相交。7.根据权利要求2所述的内连线结构，其特征在于，所述多个凸出结构的每一个包括:第一直条部，延伸在所述第一方向；及第二直条部，延伸在所述第二方向，与所述第一直条部相交，构成十字结构。8.根据权利要求7所述的内连线结构，其特征在于，还包括:第一弯折结构，设置在所述第一直条部的第一端部；及第二弯折结构，设置在所述第一直条部的第二端部。9.根据权利要求8所述的内连线结构，其特征在于，所述第一端部与所述第二端部相对所述第一直条部是在所述第二方向延伸。10.根据权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，所述多个凸出结构包括:
弯折条部，延伸在一方向，其中弯折条部的弯折形状是脉冲信号形状；直条部，延伸在所述方向，与所述弯折条部相邻；及多个延长部，在所述直条部的左边与右边，垂直于所述方向，对应所述弯折条部的凹折区域而交替配置。11....

【专利技术属性】
技术研发人员：曹多雯，许清彰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：