一种闪存结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种闪存结构的制作方法，包括以下步骤：形成互连层于半导体层上，半导体层中设有存储单元，互连层的顶面显露顶层金属连线层；形成第一钝化层于互连层上；在高于400℃的温度下进行合金化退火步骤；依次形成第二、第三及第四钝化层于第一钝化层上，其中，第四钝化层包括氮化硅层，第一钝化层的材质不同于第四钝化层。本发明专利技术的闪存结构的制作方法将合金化退火步骤提前到氮化硅沉积之前，钝化层的氮化硅沉积工艺流程后面没有高温制程，氮化硅薄膜中富含的氢不会分解出H+离子，杜绝了由于较大电场强度的原因把隧穿介质层里甚至浮栅里的电子吸出的可能性。DRB测试结果表明，本发明专利技术的闪存结构的DRB性能明显改善，符合可靠性要求。要求。要求。

A flash memory structure and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种闪存结构及其制作方法


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种闪存结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]快闪存储器(Flash Memory)是一种非挥发性存储集成电路，其主要特点是工作速度快、单元面积小、集成度高、可靠性好、可重复擦写10万次以上，数据可靠保持超过10年。根据产生电流的载流子类型不同，FLASH基本单元可分为N沟道闪存（nFLASH）和P沟道闪存（pFLASH）。
[0003]在闪存结构的制造中，通常先基于半导体衬底制作出基本的存储单元，然后在制作有存储单元的半导体层上形成包含金属连线层和金属插塞的互连层以提供各元件建必需的连接。此外，为了避免集成电路遭受水汽、杂质及外部机械性伤害，还需要在互连层上形成钝化层。
[0004]现有工艺中，在完成钝化层形成工艺后，通常还需要对互连层的顶层金属进行高温合金化处理，可以确保金属和芯片之间具有较好的导电性能与结合强度，并修复前序工艺中形成的悬挂键。然而，由于钝化层通常包含氮化硅层，其是一种富氢薄膜，而且厚度很厚，在高温合金化处理过程中，高温会把钝化层中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：形成互连层于半导体层上，所述半导体层中设有存储单元，所述互连层包括层叠的至少一介质层及多层金属连线层，相邻所述金属连线层之间通过金属插塞连接，所述互连层的顶面显露顶层金属连线层；形成第一钝化层于所述互连层上以覆盖所述顶层金属连线层；在高于400℃的温度下进行合金化退火步骤；依次形成第二钝化层、第三钝化层及第四钝化层于所述第一钝化层上，其中，所述第四钝化层包括氮化硅层，所述第一钝化层的材质不同于所述第四钝化层。2.根据权利要求1所述的闪存结构的制作方法，其特征在于：所述合金化退火步骤采用的退火温度范围是400℃
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500℃，退火时间为10分钟
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60分钟。3.根据权利要求1所述的闪存结构的制作方法，其特征在于：所述第一钝化层包括富硅氧化物层，所述第二钝化层包括高密度等离子体化学气相沉积氧化硅层，所述第三钝化层包括等离子体辅助未掺杂硅玻璃层。4.根据权利要求1所述的闪存结构的制作方法，其特征在于：所述第四钝化层的厚度范围是5000埃
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7000埃。5.根据权利要求1所述的闪存结构的制作方法，其特征在于：在形成所述第三钝化层之后及形成所述第四钝化层之前，还包括对所述第三钝化层进行化学机械抛光的步骤。6.根据权利要求1所述的闪存结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈安星，张有志，胡晓峰，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：