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本发明提供一种闪存结构的制作方法，包括以下步骤：形成互连层于半导体层上，半导体层中设有存储单元，互连层的顶面显露顶层金属连线层；形成第一钝化层于互连层上；在高于400℃的温度下进行合金化退火步骤；依次形成第二、第三及第四钝化层于第一钝化层上...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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