一种功率半导体沟槽尺寸控制方法和功率半导体结构技术

本发明专利技术涉及功率半导体领域，具体涉及一种功率半导体沟槽尺寸控制方法和功率半导体结构，所述方法包括如下步骤：提供基底，从所述基底上表面向下注入磷/砷；在所述基底上表面淀积硬掩膜，通过光刻在硬掩膜形成沟槽图形，然后对基底进行刻蚀，形成沟槽；湿法腐蚀去掉牺牲层和所述硬掩膜，在沟槽内壁中热生长一层氧化层；再在所述沟槽内回填氧化物，通过光刻和刻蚀形成矩形槽；通过化学机械抛光在所述矩形槽内抛磨出内壁为曲面的弧形沟槽；在所述弧形沟槽内淀积掺杂的导电多晶硅，向导电多晶硅中注入磷和硼并退火。本发明专利技术能够节省成本，极大的缩短流片周期；还能以更少的工程批调节沟槽尺寸及注入规格调整耐压。尺寸及注入规格调整耐压。尺寸及注入规格调整耐压。

A power semiconductor trench size control method and power semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体沟槽尺寸控制方法和功率半导体结构


[0001]本专利技术涉及功率半导体领域，具体涉及一种功率半导体沟槽尺寸控制方法和功率半导体结构。

技术介绍

[0002]目前功率半导体的主流技术为DMOS，漏极金属在晶圆背面，做完正面金属要对晶圆背面进行减薄背金；而且DMOS流片周期较长，主要受制于外延片的采购周期过长，供货量紧缺，采购外延片的成本过高。另外，半导体器件击穿电压(BV)的调整工艺较为复杂，需要多个不同的工程批调节沟槽尺寸及注入规格方可实现。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种功率半导体沟槽尺寸控制方法和功率半导体结构，不需要采购外延片，所有工艺步骤在硅衬底上进行，可以节省成本，极大的缩短流片周期，提高生产效率；另外还能通过版图及工艺即可调整，可以通过更少的工程批调节沟槽尺寸及注入规格，得到需要的耐压。为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：
[0004]一种功率半导体沟槽尺寸控制方法，包括如下步骤：
[0005]提供基底，从所述基底上表面向下注入磷/砷；/>[0006]在所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体沟槽尺寸控制方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底，从所述基底上表面向下注入磷/砷；在所述基底上表面淀积硬掩膜，通过光刻在硬掩膜形成沟槽图形，然后对基底进行刻蚀，形成沟槽；湿法腐蚀去掉牺牲层和所述硬掩膜，在沟槽内壁中热生长一层氧化层；再在所述沟槽内回填氧化物，通过光刻和刻蚀形成矩形槽；通过化学机械抛光在所述矩形槽内抛磨出内壁为曲面的弧形沟槽；在所述弧形沟槽内淀积掺杂的导电多晶硅，向导电多晶硅中注入磷和硼并退火。2.如权利要求1所述的功率半导体沟槽尺寸控制方法，其特征在于，所述再在所述沟槽内回填氧化物具体为：采用高密度等离子体化学气相淀积工艺将回填的氧化物淀积在所述氧化层上。3.如权利要求1或2所述的功率半导体沟槽尺寸控制方法，其特征在于，所述弧形沟槽为一侧为凸出弧形结构，一侧为内凹弧形结构。4.如权利要求3所述的功率半导体沟槽尺寸控制方法，其特征在于，向导电多晶硅中注入磷和硼并退火之后还执行如下步骤：用干法刻蚀去掉多余的导电多晶硅；通过光刻向弧形沟槽一侧的基底上表面注入硼离子，再通过高温推结使杂质分布在凸出弧形结构间的基底上。5.如权利要求4所述的功率半导体沟槽尺寸控制方法，其特征在于，再通过高温推结使杂质分布在弧形沟槽间的硅衬底上的步骤之后还包括：通过光刻向弧形沟槽另一侧的基底上表面注入砷离子，再通过高温推结将杂质扩散至内凹弧形结构。6.如权利要求5所述的功率半导体沟槽尺寸控制方法，其特征在于，在通过高温推结将杂质扩散至内凹弧形结构后还包括如下步骤：在所述基底上表面淀积BPSG作为第一绝缘介质层；通过光刻，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵志，
申请(专利权)人：上海晶岳电子有限公司，
类型：发明
国别省市：