一种半导体器件及其制备方法技术

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，栅极金属与第一P型轻掺杂层形成肖特基接触，由于第一P型轻掺杂层的掺杂浓度较低，可以提高栅极正向耐压的同时降低栅极漏电流。并且借助P型重掺杂层的较高掺杂浓度对能带进行调整降低栅极下方沟道处的二维电子气浓度，扩大栅下的耗尽区，从而缓解栅下的电场峰值，提高器件的耐压。通过第一P型轻掺杂层的延伸部至少覆盖P型重掺杂层的侧面，可以借助延伸部对栅极侧面的电场进行有效调制，从而降低栅极侧面的电场强度或电场峰值，有助于提高器件的耐压。有助于提高器件的耐压。有助于提高器件的耐压。

A semiconductor device and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]由于以Si和GaAs为代表的第一代和第二代半导体材料的局限性，第三代宽禁带半导体材料因为其优异的性能得到了飞速发展。GaN材料作为第三代半导体材料的核心之一，相比Si、GaAs和SiC特殊之处在于其所具有的极化效应。利用这种特殊性，人们研制了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，AlGaN/GaN HEMTs是以AlGaN/GaN异质结材料为基础而制造的GaN基微电子器件。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气(two dimensional electron gas，2DEG)，这种二维电子气具有很高的迁移率，从而使AlGaN/GaN HEMTs具有很低的导通电阻。
[0003]现有GaN器件中为了提高器件性能往往会引入位于栅下的P型层，但是当P型层的掺杂浓度过低时，往往会导致器件的阈值偏低，而当P型层的掺杂浓度过高时，又会使得栅极金属与P型层形成的肖特基结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底以及设置于所述衬底上的半导体层，所述半导体层包括源极区域、漏极区域和栅极区域，在所述半导体层的栅极区域依次设置有层叠的P型重掺杂层和第一P型轻掺杂层，所述第一P型轻掺杂层包括连续的本体部和延伸部，所述本体部位于所述P型重掺杂层的顶面，所述延伸部至少覆盖所述P型重掺杂层的侧面，在所述半导体层的源极区域和漏极区域分别设置有源极金属和漏极金属，在所述本体部上设置有栅极金属。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述延伸部包括连续的第一调制部和第二调制部，所述第一调制部覆盖所述P型重掺杂层的侧面，所述第二调制部位于所述半导体层表面且朝向所述源极区域和/或所述漏极区域延伸。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体层表面设有与所述第二调制部对应的凹槽，所述凹槽位于所述P型重掺杂层靠近所述源极区域和/或所述漏极区域的一侧，所述第二调制部至少部分对应位于所述凹槽。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二调制部包括沿远离所述P型重掺杂层方向连续设置的第一子部和第二子部，所述第一子部位于所述凹槽内，所述第二子部位于所述凹槽外。5.如权利要求1至4任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述P型重掺杂层和所述半导体层之间还设置有第二P型轻掺杂层。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述延伸部至...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊峰，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：