一种双向电子开关制造技术

本实用新型专利技术提供一种双向电子开关，包括：半导体组件，所述半导体组件包括两个超结金氧半场效晶体管；所述两个超结金氧半场效晶体管的源极相互电连接，以形成第一端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区相互形成一对开关，以形成第二端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区相互电连接，形成第三端口；所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置或均为垂直方向设置；所述两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置。本实用新型专利技术能够提高双向电子开关的性能。能够提高双向电子开关的性能。能够提高双向电子开关的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种双向电子开关


[0001]本技术属于电子开关
，尤其涉及一种双向电子开关。

技术介绍

[0002]传统的高压双向电子开关，特别是超频LDMOSFET基于双向电子开关的电流为混合传导方式，这种电流混合会导致电流拥塞，从而反过来降低传导效率。这种低传导效率可视为双向开关的散热，以及器件的电阻增加。使得电子开关电流传导拥堵，降低电子开关的性能。可见，现有电子开关存在性能较差的问题。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种双向电子开关，旨在解决现有开关性能差的问题。
[0004]本技术是这样实现的，提供一种双向电子开关，包括：半导体组件，所述半导体组件包括两个超结金氧半场效晶体管；所述两个超结金氧半场效晶体管的源极相互电连接，以形成第一端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区相互形成一对开关，以形成第二端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区相互电连接，形成第三端口；所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置或均为垂直方向设置；所述两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置。
[0005]进一步地，所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置时：
[0006]采用所述两个超结金氧半场效晶体管的表面同一侧的交替电导水平柱，通过漏区连接形成两个横向超结金氧半场效晶体管组成的双向开关；
[0007]所述两个横向超结金氧半场效晶体管的漏区连接在一起，形成共同的横向漏区；
[0008]所述两个横向超结金氧半场效晶体管的P型导电柱和n型导电柱排列成锯齿形图案；/>[0009]所述两个横向超结金氧半场效晶体管的交替导电水平柱与所述锯齿形图案对齐，其中，一个横向超结金氧半场效晶体管的n型导电柱与另一个横向超结金氧半场效晶体管的p型导电柱呈几何对齐，所述n型导电柱以及所述p型导电柱均与所述横向漏区相连。
[0010]进一步地，所述两个超结金氧半场效晶体管均为垂直方向设置时：
[0011]采用所述两个超结金氧半场效晶体管的两个表面，通过交替导电垂直柱以漏区形式，形成两个垂直超结金氧半场效晶体管组成的双向开关；
[0012]所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的漏区连接在一起，形成共同的垂直漏区；
[0013]所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的交替导电垂直柱呈锯齿形排列，其中一个垂直超结金氧半场效晶体管的n型导电柱与另一个垂直超结金氧半场效晶体管的p型导电柱呈几何对齐，n型导电柱以及p型导电柱均与所述垂直漏区相连。
[0014]进一步地，所述两个超结金氧半场效晶体管均为n通道器件，或者，所述两个超结金氧半场效晶体管均为p通道器件。
[0015]进一步地，所述两个横向超结金氧半场效晶体管的水平漏区与交替导电水平柱的
宽度不同。
[0016]进一步地，所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的垂直漏区与交替导电垂直柱的宽度不同。
[0017]进一步地，所述两个横向超结金氧半场效晶体管的横向漏区与交替导电水平柱均以条纹的形式设置。
[0018]进一步地，所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的垂直漏区与交替导电垂直柱均以条纹的形式设置。
[0019]进一步地，所述超结金氧半场效晶体管包括：
[0020]第一导电性类型的衬底；
[0021]扩散到所述衬底中的第二导电性类型的通道区域；
[0022]第一导电性类型的增强层，所述增强层的浓度高于所述衬底；
[0023]至少部分处于所述通道区域中的闸栅；
[0024]第一导电性类型的源区，在所述闸栅一侧和所述通道区域一侧设置；
[0025]其中，至少部分肖特基势垒沉积在所述源区中；
[0026]所述通道区域包括靠近所述闸栅的耗尽植入区，耗尽植入物物种为第二导电型。
[0027]进一步地，所述半导体组件还包括：整流器，所述整流器包括：肖特基二极管和耗尽MOSFET，所述两个超结金氧半场效晶体管的源区与所述肖特基二极管的阳极相连，所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区与所述肖特基二极管的阴极相连，所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区形成高压肖特基二极管的阳极，所述肖特基二极管的阴极形成高压肖特基二极管的阴极。
[0028]本技术所达到的有益效果：通过将两个超结金氧半场效晶体管进行结合形成双向电子开关，且两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置，能够拉直传导路径，使得传导路径为一直线，进而解决电流拥堵问题，从而提高双向电子开关的性能。
附图说明
[0029]图1是本技术提供的一种双向电子开关横向设置的部分结构图；
[0030]图2是本技术提供的一种双向电子开关垂直设置的部分结构图；
[0031]图3是本技术提供的一种整流器的部分结构剖面图；
[0032]图4是图3中提供的整流器的工艺流程图；
[0033]图5是本技术提供的另一种整流器的部分结构剖面图；
[0034]图6是图5中提供的整流器的工艺流程图。
具体实施方式
[0035]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0036]参考图1
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6所示，本技术提供的一种双向电子开关，包括：半导体组件，所述半导体组件包括两个超结金氧半场效晶体管；所述两个超结金氧半场效晶体管的源极相互电连接，以形成第一端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区相互形成一对开关，以形成
第二端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区相互电连接，形成第三端口；所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置或均为垂直方向设置。所述两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置。
[0037]其中，两个超结金氧半场效晶体管均可以为高压超结金氧半场效晶体管。
[0038]所述两个超结金氧半场效晶体管均为n通道器件。或者所述两个超结金氧半场效晶体管均为p通道器件。
[0039]具体的，整个双向电子开关通常是关闭状态。当对栅端口(第三端口)施加足够高的电压时，它将导通，电流流向两个漏区终端并双向进行，进而实现双向电子开关的功能。
[0040]在本实施例中，通过将两个超结金氧半场效晶体管进行结合形成双向电子开关，且两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置，能够拉直传导路径，使得传导路径为一直线，进而解决电流拥堵问题，从而提高双向电子开关的性能。
[0041]在本实施例中，如图1所示，所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置时：采用所述两个超结金氧半场效晶体管的表面同一侧的交替电导水平柱，通过漏区连接形成两个横向超结金氧半场效晶体管组成的双向开关。所述两个横向超结金氧半场效晶体管的漏区连接在一起，形成共同的横向漏区。所述两个横向超结金氧半场效晶体管的P型导电柱和n型导电柱排列成锯齿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双向电子开关，其特征在于，包括：半导体组件，所述半导体组件包括两个超结金氧半场效晶体管；所述两个超结金氧半场效晶体管的源极相互电连接，以形成第一端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区相互形成一对开关，以形成第二端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区相互电连接，形成第三端口；所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置或均为垂直方向设置；所述两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置。2.根据权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置时：采用所述两个超结金氧半场效晶体管的表面同一侧的交替电导水平柱，通过漏区连接形成两个横向超结金氧半场效晶体管组成的双向开关；所述两个横向超结金氧半场效晶体管的漏区连接在一起，形成共同的横向漏区；所述两个横向超结金氧半场效晶体管的P型导电柱和n型导电柱排列成锯齿形图案；所述两个横向超结金氧半场效晶体管的交替导电水平柱与所述锯齿形图案对齐，其中，一个横向超结金氧半场效晶体管的n型导电柱与另一个横向超结金氧半场效晶体管的p型导电柱呈几何对齐，所述n型导电柱以及所述p型导电柱均与所述横向漏区相连。3.根据权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述两个超结金氧半场效晶体管均为垂直方向设置时：采用所述两个超结金氧半场效晶体管的两个表面，通过交替导电垂直柱以漏区形式，形成两个垂直超结金氧半场效晶体管组成的双向开关；所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的漏区连接在一起，形成共同的垂直漏区；所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的交替导电垂直柱呈锯齿形排列，其中一个垂直超结金氧半场效晶体管的n型导电柱与另一个垂直超结金氧半场效晶体管的p型导电柱呈几何对齐，n型导电柱以及p型导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黃宇隆，郭志華，譚穎珊，何偉業，胡建權，
申请(专利权)人：芯南科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：