一种双向电子开关制造技术

本实用新型专利技术提供一种双向电子开关，包括：半导体组件，所述半导体组件包括两个超结金氧半场效晶体管；所述两个超结金氧半场效晶体管的源极相互电连接，以形成第一端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区相互形成一对开关，以形成第二端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区相互电连接，形成第三端口；所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置或均为垂直方向设置；所述两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置。本实用新型专利技术能够提高双向电子开关的性能。能够提高双向电子开关的性能。能够提高双向电子开关的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种双向电子开关


[0001]本技术属于电子开关
，尤其涉及一种双向电子开关。

技术介绍

[0002]传统的高压双向电子开关，特别是超频LDMOSFET基于双向电子开关的电流为混合传导方式，这种电流混合会导致电流拥塞，从而反过来降低传导效率。这种低传导效率可视为双向开关的散热，以及器件的电阻增加。使得电子开关电流传导拥堵，降低电子开关的性能。可见，现有电子开关存在性能较差的问题。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种双向电子开关，旨在解决现有开关性能差的问题。
[0004]本技术是这样实现的，提供一种双向电子开关，包括：半导体组件，所述半导体组件包括两个超结金氧半场效晶体管；所述两个超结金氧半场效晶体管的源极相互电连接，以形成第一端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区相互形成一对开关，以形成第二端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区相互电连接，形成第三端口；所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置或均为垂直方向设置；所述两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置。
[0005]进一步地，所述两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双向电子开关，其特征在于，包括：半导体组件，所述半导体组件包括两个超结金氧半场效晶体管；所述两个超结金氧半场效晶体管的源极相互电连接，以形成第一端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区相互形成一对开关，以形成第二端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区相互电连接，形成第三端口；所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置或均为垂直方向设置；所述两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置。2.根据权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置时：采用所述两个超结金氧半场效晶体管的表面同一侧的交替电导水平柱，通过漏区连接形成两个横向超结金氧半场效晶体管组成的双向开关；所述两个横向超结金氧半场效晶体管的漏区连接在一起，形成共同的横向漏区；所述两个横向超结金氧半场效晶体管的P型导电柱和n型导电柱排列成锯齿形图案；所述两个横向超结金氧半场效晶体管的交替导电水平柱与所述锯齿形图案对齐，其中，一个横向超结金氧半场效晶体管的n型导电柱与另一个横向超结金氧半场效晶体管的p型导电柱呈几何对齐，所述n型导电柱以及所述p型导电柱均与所述横向漏区相连。3.根据权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述两个超结金氧半场效晶体管均为垂直方向设置时：采用所述两个超结金氧半场效晶体管的两个表面，通过交替导电垂直柱以漏区形式，形成两个垂直超结金氧半场效晶体管组成的双向开关；所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的漏区连接在一起，形成共同的垂直漏区；所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的交替导电垂直柱呈锯齿形排列，其中一个垂直超结金氧半场效晶体管的n型导电柱与另一个垂直超结金氧半场效晶体管的p型导电柱呈几何对齐，n型导电柱以及p型导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黃宇隆，郭志華，譚穎珊，何偉業，胡建權，
申请(专利权)人：芯南科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：