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本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，栅极金属与第一P型轻掺杂层形成肖特基接触，由于第一P型轻掺杂层的掺杂浓度较低，可以提高栅极正向耐压的同时降低栅极漏电流。并且借助P型重掺杂层的较高掺杂浓度对能带进行调整降低栅极下方沟...
该专利属于深圳市时代速信科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市时代速信科技有限公司授权不得商用。

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