【技术实现步骤摘要】
新型硅片承载装置
[0001]本技术涉及一种硅片承载装置。
技术介绍
[0002]异质结电池以n型单晶硅片为衬底,经过制绒清洗后在正面通过PECVD方法沉积厚度为3
‑
5nm的本征非晶硅薄膜i
‑
a
‑
Si和p型非晶硅薄膜p
‑
a
‑
Si,从而形成pn异质结。在背面通过PECVD方法沉积本征非晶硅薄膜i
‑
a
‑
Si和n型非晶硅薄膜n
‑
a
‑
Si,从而形成背表面场。在掺杂非晶硅薄膜的两侧通过溅射的方式沉积透明导电氧化物薄膜,最后通过丝网印刷技术在透明导电薄膜表面形成金属电极。本实用专利技术是在硅片镀透明导电薄膜时的一种承载装置,镀透明导电薄膜对承载装置的形位公差要求较高,为此设计一种减少运输过程中震动的承载装置。现有的硅片承载装置当载板载着硅片放到镀膜腔室的过程中,震动会引起硅片位置发生变动,影响镀膜效果。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种新型硅片承载装置,其特征是:包括竖梁、横梁组成的外框,横梁包括位于外框两侧的边横梁、位于外框中间部位的中间横梁;竖梁包括竖梁导轨条及与竖梁导轨条固定连接的竖梁卡槽,竖梁卡槽通过法兰与横梁连接;所述边横梁由主横梁和副横梁组成;拉筋通过副横梁上面的加工孔、中间横梁上面的加工...
【专利技术属性】
技术研发人员:高晗,吴明贵,刘小明,张清清,龚汉亮,
申请(专利权)人:南通玖方新材料科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。