提高外延片质量的外延托盘及其使用方法技术

本公开公开了一种提高外延片质量的外延托盘，属于外延生长技术领域。外延托盘为圆柱体，外延托盘的第一表面具有多个同心的衬底放置圈，每个衬底放置圈都包括多个沿外延托盘的周向均匀分布的圆形凹槽。圆形凹槽的深度为1000～1500微米，每个圆形凹槽内均具有直径小于圆形凹槽的衬底支撑柱状凸起。减小衬底的温度差，以减小衬底的翘曲与凹陷，提高衬底温度均匀程度以提高在衬底上生长的外延片的均匀程度。圆形凹槽与衬底支撑柱状凸起之间的空间容纳附着物，降低附着物附着在衬底支撑柱状凸起上进而影响衬底与外延片的可能性，提高外延片的质量。片的质量。片的质量。

Epitaxial tray for improving epitaxial wafer quality and its application method

【技术实现步骤摘要】
提高外延片质量的外延托盘及其使用方法


[0001]本公开涉及外延生长
，特别涉及一种提高外延片质量的外延托盘及其使用方法。

技术介绍

[0002]外延托盘是金属有机化合物化学气相沉积(英文：Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition，简称：MOCVD)设备的一部分，且外延托盘通常位于MOCVD设备的反应腔内。外延托盘通常为圆柱体，外延托盘的一端的端面上设置有多个同心的衬底放置圈，每个衬底放置圈都包括多个沿外延托盘的周向均匀分布的圆形凹槽。外延托盘的另一端的端面与MOCVD设备的驱动结构相连。
[0003]在制备外延片时，需要将衬底一一对应放在每个圆形凹槽内，衬底被支撑在圆形凹槽的底面上。后续向MOCVD设备的反应腔通入反应气流，反应气流在衬底上进行生长以得到外延片。由于外延生长过程中衬底圆边会与外延托盘正面凹槽内的镶边接触，使得衬底圆边温度高，衬底中心温度低，衬底整体的温度不均匀会导致外延片内的波长不均匀；并且衬底本身存在一定的热膨胀，衬底边缘的高温与重心的低温会导致衬底边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，所述外延托盘为圆柱体，所述外延托盘的两个端面分别为第一表面与第二表面，所述外延托盘在所述第一表面具有多个同心的衬底放置圈，每个所述衬底放置圈都包括多个沿所述外延托盘的周向均匀分布的圆形凹槽，所述圆形凹槽的深度为1000～1500微米，每个所述圆形凹槽均具有直径小于所述圆形凹槽的衬底支撑柱状凸起，所述衬底支撑柱状凸起同轴位于所述圆形凹槽的底面且所述衬底支撑柱状凸起的最大高度低于所述圆形凹槽的最大深度，所述衬底支撑柱状凸起远离所述圆形凹槽的一端的端面呈凹面镜状。2.根据权利要求1所述的提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，以所述衬底支撑柱状凸起远离所述圆形凹槽的一端的端面为凹陷面，在所述外延托盘的径向且由所述外延托盘的轴线指向所述外延托盘的外壁的方向上，所述凹陷面的最大深度降低。3.根据权利要求2所述的提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，距离所述外延托盘的轴线最近的所述凹陷面的最大深度与距离所述外延托盘的轴线最远的所述凹陷面的最大深度之差为50～100微米。4.根据权利要求1～3任一项所述的提高外延片质量的外延托盘，其特征在于，所述衬底支撑柱状凸起远离所述圆形凹槽的一端的端面的最大深度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹涌，易丁丁，张琰琰，陆香花，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：