一种薄膜生长系统以及基片托盘和载环组件技术方案

一种支撑基片的基片托盘，所述基片托盘包括侧壁和侧壁围绕而成的的加热腔，所述侧壁顶部包括盖板，所述顶盖用于向下辐射热量；所述顶盖下方的侧壁内侧包括多个互相分离的支撑腔，以及与每个支撑腔相邻的举升腔，所述举升腔底部向下延伸并穿过基片托盘侧壁底面，使得举升腔与基片托盘下方空间联通，所述支撑腔底部平面高于所述基片托盘底面。与相应的载环组件配合后能够使得基片从基片托盘底部取放，简化取放基片流程。化取放基片流程。化取放基片流程。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜生长系统以及基片托盘和载环组件


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种用于化合物半导体外延材料生长的基片托盘和基片承载组件。

技术介绍

[0002]化合物半导体外延材料的需求越来越广泛，典型的如氮化镓材料能够用于LED和功率器件制造。常用的化合物半导体材料反应器包括金属有机化学气相反应器(MOCVD)，MOCVD反应器包括一个反应腔，反应腔内底部为旋转的基片托盘，基片托盘下方为加热器用于加热基片托盘，基片托盘上设置待处理的基片，反应器内部上方包括进气装置，从进气装置流入的反应气体流向设置在托盘上表面的基片，并在基片上表面生长产生需要的外延材料层。随着产业需求的发展，micro/mini LED对基片上方外延层均一性的要求越来越高，同时对颗粒物的数量上限的要求也越来越高。现有MOCVD反应器中位于基片上方的的进气装置会在反应过程中产生大量颗粒物，这些颗粒物随气流运动或者被重力吸引掉落到基片上表面，导致尺寸微小的LED芯片结构损害。
[0003]为了防止颗粒物掉落到基片上，业内需要一种新的基片托盘结构，使得基片进行外延生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种支撑基片的基片托盘，其特征在于：所述基片托盘包括侧壁和侧壁围绕而成的加热腔，所述侧壁的顶部包括盖板，所述盖板用于向下辐射热量；所述盖板下方的侧壁内侧包括多个凹进的腔体，所述多个腔体包括多个互相分离的支撑腔，以及与每个支撑腔相邻的举升腔，所述举升腔的底部向下延伸并穿过基片托盘的侧壁底面，使得举升腔与基片托盘下方空间联通，所述支撑腔的底部平面高于所述基片托盘的底面。2.如权利要求1所述的基片托盘，其特征在于，所述侧壁的底部还包括一环形凹槽与所述举升腔联通，用于容纳环形载环。3.如权利要求1所述的基片托盘，其特征在于，所述侧壁的顶部包括一台阶部，所述盖板为架设在台阶部上的热扩散板。4.如权利要求1所述的基片托盘，其特征在于，所述盖板包括至少一个环和圆形板的组合，其中至少一个环或者圆形板可替换。5.如权利要求1所述的基片托盘，其特征在于，所述支撑腔和举升腔之间还包括一转移腔，其中转移腔底面高度高于所述支撑腔的底面高度。6.如权利要求5所述的基片托盘，其特征在于，所述支撑腔、转移腔、举升腔在基片托盘内壁沿圆周方向排列，共同构成一个支撑单元，多个支撑单元在基片托盘侧壁底部互相间隔设置。7.如权利要求1所述的基片托盘，其特征在于，所述支撑腔底面包括凸起或者凹进部。8.一种用于支撑基片的载环组件，其特征在于：所述载环组件包括：一个载环，多个互相间隔设置在载环上的载环支撑爪，所述每个载环支撑爪一端固定到载环，另一端向载环外侧延伸；多个互相间隔设置在载环上的基片支撑爪，所述每个基片支撑爪一端固定到载环，另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：张辉，姜勇，
申请(专利权)人：南昌中微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：