一种用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置，其中，所述托盘包括：托盘，可沿其中心轴转动，设有若干个基片槽，所述基片槽用于容纳待处理基片，每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段，所述基片槽具有槽中心，所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离，所述近心段到槽中心的距离为第二距离，所述第一距离大于第二距离。利用所述化学气相沉积装置有利于提高在晶圆边缘生长外延层的一致性。缘生长外延层的一致性。缘生长外延层的一致性。
【技术实现步骤摘要】
用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置
[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置。
技术介绍
[0002]半导体发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。发光二极管具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用，尤其是利用大功率LED实现半导体固态照明，已成为新一代光源进入千家万户，引领人类照明史的革命。
[0003]通常，将待处理基片放置在金属有机化合物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)装置的反应腔内的托盘上，MOCVD装置中的加热丝提供的热能通过托盘传导到待处理基片，同时向反应腔内通入原材料，在待处理基片表面外延生长半导体材料。基座上设有多个基片槽，每个基片槽用于容纳一个待处理基片。
[0004]在待处理基片表面外延生长半导体材料时，托盘高速旋转，待处理基片在离心力的作用下，远离托盘中心的位置易与基片槽的侧壁密切接触。由于加热丝提供的热能通过基座传导至待处理基片，因此，待处理基片与侧壁的接触区域的温度会明显高于非接触区域的温度，导致待处理基片各个区域的发光波长不一致，影响待处理基片的均匀性。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置，以提高在待处理基片表面生长外延层的一致性。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种用于化学气相沉积装置的托盘，包括：托盘，可沿其中心轴转动，设有若干个基片槽，所述基片槽用于容纳待处理基片，每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段，所述基片槽的近心段具有槽中心，所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离，所述近心段到槽中心的距离为第二距离，所述第一距离大于第二距离。
[0007]可选的，若干个所述基片槽的槽中心围成一个圆，所述圆的中心与托盘的中心重合。
[0008]可选的，若干个所述基片槽的槽中心围成多个同心圆，所述多个同心圆的中心与托盘的中心重合。
[0009]可选的，所述远心段和近心段之间所述第一补偿段的个数为1个或者多个。
[0010]可选的，所述远心段还包括第二补偿段，所述第二补偿段到槽中心的距离为第三距离，所述第三距离大于第二距离。
[0011]可选的，所述第一距离与第二距离的差为：0.1毫米～2毫米。
[0012]可选的，所述第一补偿段的深度为：0.5毫米～2毫米。
[0013]可选的，所述晶圆的尺寸包括：2寸、3寸、4寸、5寸、6寸、8寸和12寸。
[0014]可选的，所述托盘的材料包括：石墨或者碳化硅。
[0015]可选的，所述待处理基片具有缺口，所述缺口朝向远心段，且所述缺口周围的待处理基片与所述远心段接触。
[0016]相应的，本专利技术还提供一种化学气相沉积装置，包括：反应腔；上述托盘，位于所述反应腔内。
[0017]可选的，所述化学气相沉积装置包括：金属有机化合物化学气相沉积装置。
[0018]可选的，还包括：加热装置，用于对所述托盘加热；气体喷淋头，位于所述反应腔内，与所述托盘相对设置；气体输送装置，用于向气体喷淋头内输送反应气体。
[0019]与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
[0020]本专利技术技术方案提供的化学气相沉积装置中，尽管所述托盘沿其中心轴转动时，位于所述基片槽内的待处理基片在离心力的作用下易向远离托盘中心的方向偏移，但是，由于所述基片槽的第一补偿段到槽中心的距离大于所述基片槽的近心段到槽中心的距离，使得待处理基片侧壁到第一补偿段的距离与到近心段的距离差异较小，那么，托盘侧壁传递至待处理基片边缘的温度差异较小，有利于提高在待处理基片表面边缘生长外延层的一致性。
附图说明
[0021]图1是本专利技术一种托盘的结构示意图；
[0022]图2是图1托盘的俯视图；
[0023]图3是本专利技术另一种托盘的俯视图；
[0024]图4是图1中一种基片槽的结构示意图；
[0025]图5是将待处理基片置于图4基片槽内的结构示意图；
[0026]图6是图1中另一种基片槽的结构示意图；
[0027]图7是图1中又一种基片槽的结构示意图；
[0028]图8是本专利技术一种化学气相沉积装置的结构示意图。
具体实施方式
[0029]正如
技术介绍
所述，利用现有化学气相沉积装置在待处理基片边缘生长的外延层一致性较差，为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置，其中，所述托盘装置包括：托盘，可沿其中心轴转动，设有若干个基片槽，所述基片槽用于容纳待处理基片，每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段，所述基片槽的近心段具有槽中心，所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离，所述近心段到槽中心的距离为第二距离，所述第一距离大于第二距离。利用所述化学气相沉积装置有利于提高在待处理基片边缘生长外延层的一致性。
[0030]为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。
[0031]图1是本专利技术一种托盘的结构示意图；图2是图1托盘的俯视图。
[0032]请参考图1和图2，托盘100，可沿其中心轴转动，设有若干个基片槽101。
[0033]在本实施例中，还包括：转动轴102，所述转动轴102的中心轴与托盘100的中心轴共线，所述转动轴102沿X方向转动带动托盘100转动。
[0034]所述基片槽101内用于容纳待处理基片，当托盘100沿X方向转动时，在离心力的作用下，待处理基片易向远离托盘中心O的方向移动。
[0035]所述托盘100的材料包括：石墨或者碳化硅。当所述托盘100的材料发生改变时，即便是所述基片槽101的尺寸以及待处理基片的大小相同，所述基片槽101各个区域对托盘100的加热情况也不同。即：选择不同材料的托盘100时，需适应性调整所述基片槽101的尺寸以提高在待处理基片边缘生长外延层的一致性。
[0036]在本实施例中，若干个所述基片槽101的槽中心围成一个圆，所述圆的中心与托盘100的中心O重合。
[0037]图3是本专利技术另一种托盘的俯视图。
[0038]在本实施例中，若干个所述基片槽101的槽中心围成多个同心圆，所述多个同心圆的中心与托盘100的中心O重合。
[0039]以下对所述基片槽101进行详细说明：
[0040]图4是图1中一种基片槽的结构示意图。
[0041]请参考图4，每个所述基片槽101包括远离所述中心轴的远心段101a、靠近所述中心轴的近心段101b和位于所本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积装置的托盘，其特征在于，包括：托盘，可沿其中心轴转动，设有若干个基片槽，所述基片槽用于容纳待处理基片，每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段，所述基片槽具有槽中心，所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离，所述近心段到槽中心的距离为第二距离，所述第一距离大于第二距离。2.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，若干个所述基片槽的槽中心围成一个圆，所述圆的中心与托盘的中心重合。3.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，若干个所述基片槽的槽中心围成多个同心圆，所述多个同心圆的中心与托盘的中心重合。4.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述远心段和近心段之间所述第一补偿段的个数为1个或者多个。5.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述远心段还包括第二补偿段，所述第二补偿段到槽中心的距离为第三距离，所述第三距离大于第二距离。6.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述第一距离...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜勇，汪国元，
申请(专利权)人：南昌中微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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