环路低通滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种环路低通滤波器，包括：电阻、第一薄栅耗尽型ＮＭＯＳ管、第二薄栅耗尽型ＮＭＯＳ管和电平移位器，其中，第一ＮＭＯＳ管、第二ＮＭＯＳ管的源极、漏极和衬底都与电平移位器的输出端相接；电平移位器，用于输出大于０的电压信号。本发明专利技术通过将环路低通滤波器中的薄栅增强型ＮＭＯＳ管替换为薄栅耗尽型ＮＭＯＳ管，并将两耗尽型ＮＭＯＳ管的源极、漏极、衬底接在一个大于０的电压上，在不增加电路面积的前提下，大大减少了耗尽型ＮＭＯＳ管的栅极漏电流，提高了ＶＣＯ控制电压的稳定性，从而较少了ＰＬＬ电路锁定工作时的抖动。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种环路低通滤波器，包括：电阻、第一ＮＭＯＳ管、第二ＮＭＯＳ管，其特征在于，还包括：电平移位器，且所述第一ＮＭＯＳ管和第二ＮＭＯＳ管为薄栅耗尽型ＭＯＳ管，其中：第一ＮＭＯＳ管、第二ＮＭＯＳ管的源极、漏极和衬底都与电平移位器的输出端相 接；电平移位器，用于输出大于０的电压信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张家川，赵纲，程宝洪，
申请(专利权)人：北京中星微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11[]