单线三线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统技术方案

本申请实施例提供一种单线三线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统，其中，方法包括：沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第一侧面，第一侧面的宽度小于硅棒的直径；沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第二侧面；第二侧面与第一侧面平行，第二侧面与第一侧面分别位于硅棒中心线的两侧；沿着硅棒的长度方向通过至少三条平行的切割线对硅棒进行切割，至少三条切割线均与第一侧面和第二侧面垂直相交，得到至少两个横截面为矩形的小硅棒。本申请实施例提供的单线三线切割硅棒的方法能够直接得到尺寸较小的硅棒，经过切片形成硅片，满足对小尺寸硅片的要求，且能提高成品率。且能提高成品率。且能提高成品率。

Method, cutting equipment and cutting system for cutting silicon rod with single line and three lines

【技术实现步骤摘要】
单线三线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统


[0001]本申请涉及硬质材料切割技术，尤其涉及一种单线三线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统。

技术介绍

[0002]随着异质结电池的发展，小片硅片的需求越来越大，而且对薄片的需求量也比较大。硅片厚度从原来180微米到150微米，将来的市场甚至可能需要100微米厚度硅片，而硅片越薄其切割难度就越大，切割质量越不容易保证。
[0003]传统方案中，通常是先将圆柱形的单晶硅棒切割成方棒，然后将方棒切割成大片硅片，再采用激光技术上对大片硅片进行划片切割形成小片硅片，但激光划片的过程会造成小片硅片的横断面产生损伤和缺陷态，严重影响最终加工成的异质结电池的转换效率。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术缺陷之一，本申请实施例中提供了一种单线三线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统。
[0005]根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种单线三线切割硅棒的方法，包括：
[0006]沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第一侧面，第一侧面的宽度小于硅棒的直径；
[0007]沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第二侧面；第二侧面与第一侧面平行，第二侧面与第一侧面分别位于硅棒中心线的两侧；
[0008]沿着硅棒的长度方向通过至少三条平行的切割线对硅棒进行切割，至少三条切割线均与第一侧面和第二侧面垂直相交，得到至少两个横截面为矩形的小硅棒。
[0009]根据本申请实施例的第二个方面，提供了一种应用如上单线三线切割硅棒方法的切割设备，包括：
[0010]基座；
[0011]承载台，设置于所述基座上，用于承载硅棒；
[0012]线切割装置，设置于所述基座上，与承载台可沿硅棒的长度方向相对移动；所述线切割装置包括线轮支架及设置于线轮支架上的单线切割轮组和/或三线切割轮组，所述单线切割轮组绕设有一条切割线，用于通过一条切割线对硅棒进行切割；所述三线切割轮组绕设有三条平行的切割线，用于通过三条切割线对硅棒进行切割。
[0013]根据本申请实施例的第三个方面，提供了一种单线三线切割硅棒的切割系统，包括：
[0014]如上所述的切割设备；以及对硅棒进行磨削的磨削设备。
[0015]本申请实施例提供的技术方案，先沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第一侧面，第一侧面的宽度小于硅棒的直径；然后沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第二侧面；第二侧面与第一侧面平行，第二侧
面与第一侧面分别位于硅棒中心线的两侧；再沿着硅棒的长度方向通过至少三条平行的切割线对硅棒进行切割，至少三条切割线均与第一侧面和第二侧面垂直相交，得到至少两个横截面为矩形的小硅棒。小硅棒的尺寸能更好地满足异质结电池的需要，且无需采用激光对硅片进行切割，提高了硅片的成品率，进而保障异质结电池的转换效率。而且本实施例中第一次切割采用两条切割线同步切割，能够减少切割次数，提高生产效率。
附图说明
[0016]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0017]图1为本申请实施例一提供的单线三线切割硅棒方法的流程图；
[0018]图2为本申请实施例二提供的单线三线切割硅棒方法的流程图；
[0019]图3为本申请实施例二提供的单线三线切割硅棒的结构示意图；
[0020]图4为本申请实施例二提供的另一单线三线切割硅棒的结构示意图；
[0021]图5为本申请实施例二提供的又一单线三线切割硅棒的结构示意图；
[0022]图6为本申请实施例三提供的单线三线切割硅棒方法的流程图；
[0023]图7为本申请实施例三提供的单线三线切割硅棒的结构示意图；
[0024]图8为本申请实施例三提供的另一单线三线切割硅棒的结构示意图；
[0025]图9为本申请实施例四提供的单线三线切割硅棒方法的流程图；
[0026]图10为本申请实施例四提供的单线三线切割硅棒的结构示意图；
[0027]图11为本申请实施例四提供的另一单线三线切割硅棒的结构示意图；
[0028]图12为本申请实施例五提供的立式切割设备的结构示意图；
[0029]图13为本申请实施例五提供的立式切割设备线切割装置的结构示意图；
[0030]图14为本申请实施例五提供的立式切割设备中单线切割轮组对硅棒进行切割的结构示意图；
[0031]图15为本申请实施例五提供的立式切割设备中双线切割轮组对硅棒进行切割的结构示意图；
[0032]图16为本申请实施例五提供的立式切割设备中另一双线切割轮组对硅棒进行切割的结构示意图；
[0033]图17为本申请实施例五提供的立式切割设备中三线切割轮组对硅棒进行切割的结构示意图；
[0034]图18为本申请实施例五提供的卧式切割设备的结构示意图；
[0035]图19为本申请实施例五提供的卧式切割设备线切割装置的结构示意图；
[0036]图20为本申请实施例五提供的卧式切割设备中单线切割轮组对硅棒进行切割的结构示意图；
[0037]图21为本申请实施例五提供的卧式切割设备中双线切割轮组对硅棒进行切割的结构示意图；
[0038]图22为本申请实施例五提供的卧式切割设备中另一双线切割轮组对硅棒进行切割的结构示意图；
[0039]图23为本申请实施例五提供的卧式切割设备中三线切割轮组对硅棒进行切割的
结构示意图。
[0040]附图标记：
[0041]1‑
硅棒；11
‑
第一侧面；2
‑
方棒；3
‑
小硅棒；31
‑
子硅棒；4
‑
硅片；41
‑
子硅片；51
‑
第一切割线；52
‑
第二切割线；53
‑
第三切割线；54
‑
第四切割线；55
‑
第五切割线；61
‑
底座；62
‑
机架；7
‑
承载台；8
‑
线切割装置；81
‑
线轮支架；82
‑
切割轮；83
‑
切割线。
具体实施方式
[0042]为了使本申请实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0043]实施例一
[0044]本实施例提供一种单线三线切割硅棒的方法，用于对单晶硅棒或多晶硅棒进行切割。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单线三线切割硅棒的方法，其特征在于，包括：沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第一侧面，第一侧面的宽度小于硅棒的直径；沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第二侧面；第二侧面与第一侧面平行，第二侧面与第一侧面分别位于硅棒中心线的两侧；沿着硅棒的长度方向通过至少三条平行的切割线对硅棒进行切割，至少三条切割线均与第一侧面和第二侧面垂直相交，得到至少两个横截面为矩形的小硅棒。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对小硅棒的每个侧面进行磨削；对小硅棒中平行于硅棒长度方向的每条棱进行磨削，形成倒角；沿着垂直于硅棒的长度方向对小硅棒进行切割，得到多个硅片。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过至少三条平行的切割线对硅棒进行切割，至少三条切割线均与第一侧面和第二侧面垂直相交，具体为：沿着硅棒的长度方向通过三条平行的切割线对硅棒进行切割，三条切割线均与第一侧面和第二侧面垂直相交，得到两个横截面为矩形的小硅棒；两个小硅棒的横截面积之比大于1:3。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对其中一个小硅棒进行切割，将该小硅棒切割为横截面为矩形的两个子硅棒。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过至少三条平行的切割线对硅棒进行切割，至少三条切割线均与第一侧面和第二侧面垂直相交，具体为：沿着硅棒的长度方向通过四条平行的切割线对硅棒进行切割，四条切割线均与第一侧面和第二侧面垂直相交，得到三个横截面为矩形的小硅棒；三个小硅棒的横截...

【专利技术属性】
技术研发人员：范国强，王叶兰，于文文，
申请(专利权)人：青岛高测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：