单线双线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统技术方案

本申请实施例提供一种单线双线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统，其中，方法包括：沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第一侧面，第一侧面的宽度小于硅棒的直径；沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行一次切割，切割后形成第二侧面和第三侧面，第二侧面和第三侧面均与第一侧面垂直相交，且第二侧面和第三侧面分别位于硅棒中心线的两侧；沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行切割，形成的切割面与第一侧面平行和/或垂直，得到两个横截面为矩形的小硅棒。本申请实施例提供的单线双线切割硅棒的方法能够直接得到尺寸较小的硅棒，经过切片形成硅片，满足对小尺寸硅片的要求，且能提高成品率。品率。品率。

Method, cutting equipment and cutting system for cutting silicon rod with single line and double line

【技术实现步骤摘要】
单线双线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统


[0001]本申请涉及硬质材料切割技术，尤其涉及一种单线双线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统。

技术介绍

[0002]随着异质结电池的发展，小片硅片的需求越来越大，而且对薄片的需求量也比较大。硅片厚度从原来180微米到150微米，将来的市场甚至可能需要100微米厚度硅片，而硅片越薄其切割难度就越大，切割质量越不容易保证。
[0003]传统方案中，通常是先将圆柱形的单晶硅棒切割成方棒，然后将方棒切割成大片硅片，再采用激光技术上对大片硅片进行划片切割形成小片硅片，但激光划片的过程会造成小片硅片的横断面产生损伤和缺陷态，严重影响最终加工成的异质结电池的转换效率。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术缺陷之一，本申请实施例中提供了一种单线双线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统。
[0005]根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种单线双线切割硅棒的方法，包括：
[0006]沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第一侧面，第一侧面的宽度小于硅棒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单线双线切割硅棒的方法，其特征在于，包括：沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，切割后形成第一侧面，第一侧面的宽度小于硅棒的直径；沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行一次切割，切割后形成第二侧面和第三侧面，第二侧面和第三侧面均与第一侧面垂直相交，且第二侧面和第三侧面分别位于硅棒中心线的两侧；沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行切割，形成的切割面与第一侧面平行和/或垂直，得到两个横截面为矩形的小硅棒。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行切割，具体包括：沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行一次切割。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行一次切割，具体为：沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行一次切割，形成的切割面均与第一侧面平行，得到两个横截面为矩形的小硅棒。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行一次切割，具体为：沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行一次切割，其中一条切割线与第一侧面垂直相交；另一条切割线与第二侧面、第三侧面垂直相交，得到两个横截面为矩形的小硅棒。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行切割，具体包括：沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行两次切割，每次均通过一条切割线进行切割。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行两次切割，包括：沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，形成的切割面与第一侧面平行，且与第一侧面分别位于硅棒中心线的两侧，得到横截面为矩形的方棒；沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对方棒进行切割，得到两个横截面为矩形的小硅棒。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行两次切割，包括：沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，形成的切割面与第一侧面平行或垂直，且该切割面的宽度小于第一侧面的宽度；沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，形成的切割面与第二侧面、第三侧面垂直相交，该切割面与第一侧面分别位于硅棒中...

【专利技术属性】
技术研发人员：于文文，范国强，夏金玲，王叶兰，
申请(专利权)人：青岛高测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：