一种制备晶体的设备及方法技术

本发明专利技术提供了一种制备晶体的设备及方法，包括：设备主体、固定于设备主体的热源、固定于设备主体且位于热源内的生长室以及固定于生长室且位于热源和生长室之间的至少两层调温件组，生长室具有用于容纳源料的容纳腔，调温件组的调温件的一端固定于生长室，另一端间隔热源设置，同一层调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，热源产生的热量传导至调温件并被调温件传导至生长室。同一层调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，可以通过调节调温件的长度改变生长室的温场的温度分布，保证生长室能够提供适合于晶体生长的温度梯度。生长的温度梯度。生长的温度梯度。

A device and method for preparing crystals

【技术实现步骤摘要】
一种制备晶体的设备及方法


[0001]本专利技术属于晶体生长设备
，尤其涉及一种制备晶体的设备及方法。

技术介绍

[0002]氮化铝具有超宽带隙(6.2eV)、高的击穿场强(11.7*106V
·
cm
‑1)、高的热导率(实测值3.16W
·
cm
‑1·
K
‑1)、抗辐射、耐酸碱以及高稳定性等优异性质，可用于深紫外LED、LD、大功率电子以及核反应堆震动探测等器件的制备。此外，氮化铝(AlN)与氮化镓(GaN)以及铝镓氮(AlGaN)具有小的晶格失配和热失配，是GaN和AlGaN作为功能层器件的理想衬底材料。因此，AlN单晶的制备对光电及电子器件的制备意义重大。而目前物理气相传输(PVT)法是制备AlN单晶衬底最理想的方法。
[0003]目前用于AlN晶体生长的设备主要有感应加热石墨系统炉和电阻加热金属炉，这两种设备均是通过给定足够高的功率来达到AlN晶体的生长温度。相关技术中为了达到合适AlN晶体生长的温差，通常使用辅助加热器来调节温度梯度。辅助加热器一方面在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备晶体的设备，其特征在于，包括：设备主体、固定于所述设备主体的热源、固定于所述设备主体且位于所述热源内的生长室以及固定于所述生长室且位于所述热源和所述生长室之间的至少两层调温件组，所述生长室具有用于容纳源料的容纳腔，所述调温件组的调温件的一端固定于所述生长室，另一端间隔所述热源设置，同一层所述调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，所述热源产生的热量传导至所述调温件并被所述调温件传导至所述生长室。2.根据权利要求1所述的制备晶体的设备，其特征在于，沿所述容纳腔的长度延伸方向上各所述调温件的长度呈梯度分布。3.根据权利要求2所述的制备晶体的设备，其特征在于，所述生长室具有底部和与所述底部相对设置的顶部，相邻所述调温件层中更靠近所述生长室底部的调温件的长度大于更远离所述生长室的底部的调温件的长度，每层所述调温件组具有间隔设置的至少四个所述调温件。4.根据权利要求3所述的制备晶体的设备，其特征在于，所述调温件包括固定于所述生长室远离所述容纳腔的一侧的导热臂和固定于所述导热臂远离所述生长室的一端的受热部，各所述导热臂的长度沿所述容纳腔的长度延伸方向上依次减小，所述受热部与所述热源之间具有间隔，所述受热部靠近所述热源的一侧具有受热区域，位于同一层且相邻所述受热部之间具有间隔。5.根据权利要求4所述的制备晶体的设备，其特征在于，所述导热臂与所述受热部的连接处设于所述受热部的两端之间，所述导热臂的横截面呈矩形结构或类梯形结构，所述受热部靠近所述热源的一侧为弧面。6.根据权利要求5所述的制备晶体的设备，其特征在于，所述弧面的弧形曲率为0cm
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【专利技术属性】
技术研发人员：覃佐燕，武红磊，李文良，金雷，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：