晶体生长设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶体生长设备，该晶体生长设备包括：炉体；托盘，该托盘设置在炉体内，在托盘上设置有多个可转动的置放盘；多个坩埚，多个坩埚用于分别设置在多个置放盘上；加热装置，设置在炉体内，且该加热装置围绕托盘设置。本实用新型专利技术的晶体生长设备，在使用时通过多个置放盘的转动带动放置在其上面的坩埚随之一起转动，可以使每一个坩埚的热场均匀，减小坩埚内的径向温度梯度，提高坩埚内物料的受热均匀性，从而提高产品的品质；并且可以选择在一个或者多个坩埚内放置物料，或者同时采用不同尺寸大小的坩埚，提高了该晶体生长设备的生产灵活性。该晶体生长设备结构简单、加工难度小，易于维护。易于维护。易于维护。

Crystal growth equipment

【技术实现步骤摘要】
晶体生长设备


[0001]本技术涉及半导体长晶
，特别涉及一种晶体生长设备。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是第三代宽带隙半导体材料，具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，与以硅为代表的第一代半导体材料和以GaAs为代表的第二代半导体材料相比，有着明显的优越性，加之其具有与GaN相似的晶格结构，因此其被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、高温电子器件等的理想半导体材料。
[0003]碳化硅在白光照明、屏幕显示、光存储、高压输电、石油勘探、自动化、雷达与通信、电动汽车、高铁动车等方面有广泛应用。因此，生产高质量、大尺寸的碳化硅晶体是迫在眉睫的任务。
[0004]目前，碳化硅生长的方法主要有气相传输法(PVT)、液相外延法(LPE)、化学气相沉积法(CVD)等。其中，PVT法是应用最成熟的方法，也是目前唯一的一种可以满足商用碳化硅衬底需求的生长方法。
[0005]但是，PVT法生长碳化硅晶体所用的传统的生长设备，尤其是大直径的晶体生长设备存在径向温度梯度较大并且温度难以精确控制的问题，影本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长设备，其特征在于，包括：炉体；托盘，所述托盘设于所述炉体内，所述托盘上设有多个可转动的置放盘；多个坩埚，多个所述坩埚用于分别设置在多个所述置放盘上；及加热装置，设于所述炉体内，所述加热装置围绕所述托盘设置。2.根据权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，所述置放盘能够绕垂直于所述托盘所在平面方向的轴线旋转。3.根据权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，多个所述置放盘沿所述托盘的周向均布设置。4.根据权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，所述加热装置为电阻加热器，所述电阻加热器呈环形并围绕设置在所述托盘的外侧。5.根据权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，所述坩埚设置在所述置放盘上时，所述坩埚在高度方向的上沿和下沿均不突出于所述加热装置。6.根据权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，所述托盘可相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖寄乔，李丙菊，彭浩波，李姚平，李军，
申请(专利权)人：湖南金博碳基材料研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：