一种半绝缘碳化硅粉的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半绝缘碳化硅粉的制备方法，包括如下步骤：步骤一：在坩埚底部均匀铺设硅粉，形成硅粉层；步骤二：在硅粉层上放入一块硅板；硅板的直径与坩埚直径相同；步骤三：将高纯碳粉及高纯硅粉按照质量比1：1‑1：2混合均匀，并放入硅板上铺设均匀；步骤四：将坩埚放入炉体，加热反应得到高纯碳化硅粉；步骤五：将硅板上方的高纯碳化硅粉通过高温氧化除去多余的碳粉即得到所述半绝缘碳化硅粉。本发明专利技术通过在坩埚底部预先铺设硅粉，并通过硅板将硅粉与硅板上方的碳与硅混合体原料分隔开，使合成料坩埚底部呈现富硅状态，底部富硅粉优先挥发反应，从而减少底部碳化层的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化工领域，涉及一种半绝缘碳化硅粉的制备方法。

技术介绍

1、碳化硅是第三代宽带隙半导体材料，其禁带宽度大、热导率高、载流子饱和迁移速度高、临界击穿电场强度高并具有极好的化学稳定性，在高温、高频率、大功率、高电压、强辐射等苛刻条件下，使用碳化硅制造的器件有优越的性能及稳定性。

2、碳化硅晶体制造行业中，原材料高纯碳化硅粉是由高纯碳粉及高纯硅粉在高温、低压、惰性气体保护的情况下反应合成而来，但是因加热器的表面温度不均，一般情况下，温度在坩埚表面的温度表现为底部的温度高，顶部的温度低。此等温度不均的情况下，底部合成的碳化硅粉会因温度偏高而分解，硅会形成硅蒸汽而流失，从而导致碳硅比例失调，实际现象表现为坩埚底部形成厚厚的碳化层，使合成高纯碳化硅粉产量偏低。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种半绝缘碳化硅粉的制备方法，克服现有高纯碳化硅粉产量偏低的技术问题。

2、本专利技术的技术方案：

3、一种半绝缘碳化硅粉的制备方法，包括如下步骤：>

4、步骤一：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半绝缘碳化硅粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的半绝缘碳化硅粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：所述硅粉的径粒不大于5mm，硅粉层的厚度不大于10mm。

3.如权利要求1所述的半绝缘碳化硅粉的制备方法，其特征在于，所述硅板为单晶硅硅板或多晶硅硅板，硅粉为单晶硅或多晶硅。

4.如权利要求1所述的半绝缘碳化硅粉的制备方法，其特征在于，所述步骤四中，炉内压力为10-20mbar，控制温度在2000-2100℃，反应时间为6-24h。

5.如权利要求1所述的半绝缘碳化硅粉的制备方法，其特征在于，所述硅板的厚度...

【技术特征摘要】

1.一种半绝缘碳化硅粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的半绝缘碳化硅粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：所述硅粉的径粒不大于5mm，硅粉层的厚度不大于10mm。

3.如权利要求1所述的半绝缘碳化硅粉的制备方法，其特征在于，所述硅板为单晶硅硅板或多晶硅硅板，硅粉为单晶硅或多晶硅。

4.如权利要求1所述的半绝缘碳化硅粉的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖雨舟，李丙菊，吴海源，彭浩波，廖海涛，
申请(专利权)人：湖南金博碳基材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：