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本发明涉及一种半绝缘碳化硅粉的制备方法，包括如下步骤：步骤一：在坩埚底部均匀铺设硅粉，形成硅粉层；步骤二：在硅粉层上放入一块硅板；硅板的直径与坩埚直径相同；步骤三：将高纯碳粉及高纯硅粉按照质量比1：1‑1：2混合均匀，并放入硅板上铺设均匀；...该专利属于湖南金博碳基材料研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南金博碳基材料研究院有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种半绝缘碳化硅粉的制备方法，包括如下步骤：步骤一：在坩埚底部均匀铺设硅粉，形成硅粉层；步骤二：在硅粉层上放入一块硅板；硅板的直径与坩埚直径相同；步骤三：将高纯碳粉及高纯硅粉按照质量比1：1‑1：2混合均匀，并放入硅板上铺设均匀；...