【技术实现步骤摘要】
一种单晶薄膜体声波谐振器及电子元件
[0001]本技术涉及一种体声波谐振器，具体涉及一种单晶薄膜体声波谐振器。
技术介绍
[0002]无线通信技术的发展对射频前端器件提出了微型化、高频化的要求，然而传统的陶瓷介质滤波器由于体积较大无法满足集成的要求，而声表面波滤波器则由于加工工艺的限制，无法满足高频的条件。薄膜体声波谐振器通过压电效应将波长极大的电学信号转换成为波长较小的声学信号，声波在上下两个电极和空气的交界面发生全反射，形成干涉效应。通过控制压电薄膜的厚度可以控制滤波器的频率，随着半导体技术的革新与发展，压电材料的厚度可以控制在几百纳米，因此薄膜体声波谐振器适合应用于高频和微型化的场景中。传统的体声波谐振器由于结构上的缺陷容易受到牺牲层释放溶液的腐蚀，性能较差。同时一部分声波会通过压电材料泄露到周围的衬底中，品质因数较低。而传统的薄膜体声波谐振器的压电材料多为多晶材料，多晶压电材料缺陷密度高，也会造成降低谐振器的品质因数。
技术实现思路
[0003]针对现有技术存在的问题，本技术提供一种单晶薄膜体声波谐振器，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：按照从下向上的顺序依次包括衬底层、布拉格反射层、第一键合层、第二键合层、压电层和电极层；所述电极层的宽度小于所述压电层；所述谐振器还包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层分别包围所述第一键合层和所述第二键合层设置，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层内分别设有若干个水平排列的第一空气孔和若干个水平排列的第二空气孔；若干个所述第一空气孔与若干个所述第二空气孔一一对应并相通；所述压电层材料为AlN或者铌酸锂。2.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述布拉格反射层为2层以上结构，由钼层和氧化硅层形成。3.根据权利要求2所述的一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述布拉格反射层的层数为9层。4.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一键合层和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市艾佛光通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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