一种谐振器及滤波器制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种谐振器及滤波器。谐振器包括：基底，所述基底的第一表面设置有声反射结构；设置于声反射结构远离基底的一侧的下电极；设置于所述下电极远离所述基底一侧的压电层；其中，所述压电层邻近所述下电极的一侧设置有第一凹槽，所述第一凹槽在所述基底的垂直投影与所述声反射结构在基底的垂直投影部分交叠或相邻；以及设置于所述压电层远离所述基底一侧的上电极。本实用新型专利技术实施例可以避免能量向基底泄露，提高谐振器的整体Q值。值。值。

【技术实现步骤摘要】
一种谐振器及滤波器


[0001]本技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种谐振器及滤波器。

技术介绍

[0002]谐振器已被广泛应用于许多领域中。例如，在无线通信领域中，将射频(RF)和微波频率的谐振器用作滤波器以改善信号的接收和发送。随着对通信设备的小型化和微型化的需要，提出了基于压电效应的谐振器。在基于压电效应的谐振器中，在压电材料中产生声学谐振模式，其中声波被转换为无线电波。
[0003]图1是现有技术的一种谐振器结构示意图，参考图1，现有的基于压电效应的谐振器中通常包括基底101、下电极102、压电层103和上电极104，在下电极103和基底101的锚点区域(图中虚线圈圈出的区域)会有能量向基底101泄露，影响谐振器的整体Q值。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种谐振器及滤波器，以避免能量向基底泄露，提高谐振器的整体Q值。
[0005]第一方面，本技术实施例提供了一种谐振器，包括：
[0006]基底，所述基底的第一表面设置有声反射结构；
[0007]设置于所述声反射结构远离基底一侧的下电极；
[0008]设置于所述下电极远离所述基底一侧的压电层；其中，所述压电层邻近所述下电极的一侧设置有第一凹槽，所述第一凹槽在所述基底的垂直投影与所述声反射结构在所述基底的垂直投影部分交叠或相邻；
[0009]以及设置于所述压电层远离所述基底一侧的上电极。
[0010]可选的，所述第一凹槽的至少部分区域位于所述谐振器的非有效区。
[0011]可选的，所述第一凹槽位于所述非有效区，且所述第一凹槽邻近有效区的边界在所述基底的垂直投影与所述声反射结构在所述基底垂直投影的边界重合。
[0012]可选的，所述压电层邻近所述上电极的一侧设置有至少一个第二凹槽；其中，所述上电极在所述压电层上的垂直投影与所述第二凹槽交叠，且所述上电极与所述第二凹槽交叠的部分悬空设置于所述第二凹槽远离所述基底的一侧。
[0013]可选的，所述第一凹槽和/或所述第二凹槽内填充有温度补偿层。
[0014]可选的，所述第一凹槽和/或所述第二凹槽内填充有高阻抗材料层。
[0015]可选的，所述压电层还包括第一释放孔，所述第一释放孔与第一凹槽连通；
[0016]所述上电极还包括第二释放孔，所述第二释放孔与所述第一释放孔连通。
[0017]可选的，所述上电极还包括第三释放孔，所述第三释放孔与第二凹槽连通。
[0018]可选的，所述上电极还包括第四释放孔，所述第四释放孔与所述第一凹槽和所述第二凹槽均连通。
[0019]第二方面，本技术实施例还提供了一种滤波器，包括至少一个本技术任
意实施例所述的谐振器。
[0020]本技术实施例通过在压电层邻近下电极的一侧设置第一凹槽，第一凹槽在基底的垂直投影与声反射结构在基底的垂直投影部分交叠或相邻，第一凹槽可以避免下电极和基底的锚点区域的能量向基底泄露，提高谐振器的整体Q值。
附图说明
[0021]图1是现有技术的一种谐振器结构示意图；
[0022]图2是本技术实施例提供的一种谐振器的示意图；
[0023]图3是本技术实施例提供的又一种谐振器的示意图；
[0024]图4是本技术实施例提供的又一种谐振器的示意图；
[0025]图5是本技术实施例提供的又一种谐振器的示意图；
[0026]图6是本技术实施例提供的又一种谐振器的示意图；
[0027]图7是本技术实施例提供的又一种谐振器的示意图。
具体实施方式
[0028]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0029]本技术实施例提供了一种谐振器，图2是本技术实施例提供的一种谐振器的示意图，参考图2，谐振器包括：
[0030]基底10，基底10的第一表面设置有声反射结构11；
[0031]设置于声反射结构11远离基底10的一侧的下电极20；
[0032]设置于下电极20远离基底10一侧的压电层30；其中，压电层30邻近下电极20的一侧设置有第一凹槽31，第一凹槽31在基底10的垂直投影与声反射结构11在基底10的垂直投影部分交叠或相邻；
[0033]以及设置于压电层30远离基底10一侧的上电极40。
[0034]其中，声反射结构11可以是空腔也可以是布拉格层。声反射结构11为布拉格层时，可以在基底10的第一表面形成凹槽，在凹槽内填充布拉格层。声反射结构11为空腔时，声反射结构11设置于第一表面，可以是如图1所示直接对基底10的第一表面进行挖槽形成声反射结构11，也可以是在基底10上设置支撑层，由支撑层形成凹槽，从而形成声反射结构11。
[0035]此外，第一凹槽31在基底10的垂直投影与声反射结构11在基底10的垂直投影交叠可以包括如下情况：第一凹槽31在基底10的垂直投影的邻近声反射结构11的边界与声反射结构11在基底10的垂直投影的边界正好重合，或者第一凹槽31在基底10的垂直投影与声反射结构11在基底10的垂直投影的部分区域交叠。
[0036]第一凹槽31在基底10的垂直投影与声反射结构11在基底10的垂直投影相邻即第一凹槽31在基底10的垂直投影的邻近声反射结构11的边界与声反射结构11在基底10的垂直投影的边界边靠边相邻。
[0037]参考图1，声反射结构11为空腔时可以通过光刻工艺在基底10形成凹槽，可以在凹槽内填充第一牺牲层，第一牺牲层的材料可以包括磷硅酸盐玻璃(PSG)，其示意性地包括
8％的磷和92％的二氧化硅。凹槽的形状可以根据需要设置，示例性的，可以如图1设置为截面为倒梯形的凹槽。
[0038]形成第一牺牲层后，可以在基底10的第一表面形成下电极20。下电极20的材料可以包括钼Mo或钨W。形成下电极20后可以在下电极20远离基底10的表面形成第二牺牲层，第二牺牲层设置于第一凹槽31对应的位置处，且第二牺牲层的形状和第一凹槽31的形状相同。第二牺牲层的材料也可以包括磷硅酸盐玻璃(PSG)。
[0039]然后在第二牺牲层远离基底10的一侧以及未被第二牺牲层覆盖的下电极20远离基底的一侧形成压电层30和上电极40。由于第二牺牲层的存在，在第二牺牲层处压电层30对应形成了第一凹槽31，并且压电层30远离基底10的第一表面在存在高低变化，可以通过化学机械抛光对压电层30远离基底10的一侧进行平坦化，形成如图2所示的压电层30。最后去除第一牺牲层和第二牺牲层，形成空腔类型的声反射结构11以及第一凹槽31。
[0040]此外，第一凹槽31的形状和尺寸本实施例并不做具体限定，示例性的其垂直与基底10方向的截面的形状可以为梯形或矩形等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振器，其特征在于，包括：基底，所述基底的第一表面设置有声反射结构；设置于所述声反射结构远离基底一侧的下电极；设置于所述下电极远离所述基底一侧的压电层；其中，所述压电层邻近所述下电极的一侧设置有第一凹槽，所述第一凹槽在所述基底的垂直投影与所述声反射结构在所述基底的垂直投影部分交叠或相邻；以及设置于所述压电层远离所述基底一侧的上电极。2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：所述第一凹槽的至少部分区域位于所述谐振器的非有效区。3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于：所述第一凹槽位于所述非有效区，且所述第一凹槽邻近有效区的边界在所述基底的垂直投影与所述声反射结构在所述基底垂直投影的边界重合。4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：所述压电层邻近所述上电极的一侧设置有至少一个第二凹槽；其中，所述上电极在所述压电层上的垂直投影与所述第二凹槽交叠，且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨清华，赖志国，吴光胜，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：新型
国别省市：