一种双MOSFET高可靠性引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双MOSFET高可靠性引线框架，涉及芯片技术领域。该一种双MOSFET高可靠性引线框架，一种双MOSFET高可靠性引线框架，包括基板A和基板B，所述基板A和基板B上分别设置有MOSFET芯片A和MOSFET芯片B；基板A的左下侧通过焊线连接有Pin1脚位，基板B的左下侧通过焊线连接有Pin3脚位；MOSFET芯片A左侧与基板A的底部夹角呈60度，所述MOSFET芯片B左侧与基板B的底部夹角呈60度。本实用新型专利技术引线框架对SOP8L双基岛引线框架进行研发，设计主要是对引线框架Pin1、Pin3脚部分进行改善，利用斜边型设计，在不影响基岛面积和焊线长度的基础上，增大了芯片与基岛边缘的位置，减少了胶水沾污管脚和胶水溢出到基岛背面风险。了胶水沾污管脚和胶水溢出到基岛背面风险。了胶水沾污管脚和胶水溢出到基岛背面风险。

A dual MOSFET high reliability lead frame

【技术实现步骤摘要】
一种双MOSFET高可靠性引线框架


[0001]本技术涉及芯片
，具体为一种双MOSFET高可靠性引线框架。

技术介绍

[0002]MOSFET全称Metal
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Oxide
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SemiconductorField
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Effect Transistor，中文名为金属
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氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。随着Type
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C接口的普及，MOSFET在功率转换、过载保护上发挥着重要作用，快充接口统一带动MOSFET发展；另外MOSFET是电动汽车驱动控制系统和充电桩电源模块的核心零部件，近年来，随着物联网、电动车的发展，汽车电子比重提升，产业需求迅速增长， MOSFET等功率元件也迎来了短期的爆发。
[0003]我司MOSFET产品采用SOP8L双基岛双芯片模式，包含2个MOSFET管芯片。 MOSFET产品一项重要参数是导通电阻，当电流在MOSFET芯片D极和S极流过时，就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。对于封装工艺来讲，降低导通电阻可以通过减小S极与管脚间的焊线长度来进行控制，即芯片离引线框架基岛越近越好。上述的工艺要求带来另外的质量风险，当芯片与引线框架基岛越近时，越容易造成粘片时胶水与管脚沾污短路以及胶水溢出到基岛背面造成后续产品可靠性能降低问题；另外芯片靠近基岛边缘造成封装后产品整体结构偏向一边，对产品回流焊时热膨胀效应造成影响，降低了整体产品的抗分层能力。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种双MOSFET高可靠性引线框架，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种双MOSFET高可靠性引线框架，包括基板A和基板B，所述基板A和基板B上分别设置有MOSFET芯片A和MOSFET芯片B；
[0006]基板A的上方从左到右分别设置有Pin8脚位和Pin7脚位，基板B的上方从左到右分别设置有Pin6脚位和Pin5脚位；
[0007]基板A的左下侧通过焊线连接有Pin1脚位，基板B的左下侧通过焊线连接有Pin3脚位；
[0008]所述MOSFET芯片A左侧与基板A的底部夹角呈60度，所述MOSFET芯片B 左侧与基板B的底部夹角呈60度。
[0009]优选的，所述基板A的左下角设计为斜边形状，且Pin1脚位与基板A对应的一侧也设计为斜边；
[0010]所述基板B的左下角设计为斜边形状，且Pin3脚位与基板B对应的一侧也设计为斜边。
[0011]优选的，所述MOSFET芯片A以及MOSFET芯片B分别设置在基板A以及基板B的中心位置。
[0012]优选的，所述基板A与Pin1脚位之间空间形成槽A，所述基板B与Pin3脚位之间空间形成槽B；
[0013]所述槽A和槽B均由两个V型构成。
[0014]优选的，所述MOSFET芯片A与基板A边缘距离控制在400微米，所述MOSFET 芯片B和基板B边缘距离控制在400微米。
[0015]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0016](1)、该一种双MOSFET高可靠性引线框架，将Pin1脚位和Pin3脚位设计成斜边形式，基岛A和基岛B同样设计成斜边形式，使Pin1脚位设计成切入基岛A边缘的斜边形式，使Pin3脚位设计成切入基岛B边缘的斜边形式，此类设计能够保证原引线框架基岛A和基岛B的承载芯片能力。
[0017](2)、该一种双MOSFET高可靠性引线框架，由于Pin1脚位和Pin3脚位设计成斜边形式，使Pin1脚位和Pin3脚位管脚面积增大并接近基岛A和基岛B 位置，保持Pin1脚位以及Pin3脚位分别与MOSFET芯片A以及MOSFET芯片B 距离与原来不变，进而确保导通电阻参数不变。
[0018](3)、该一种双MOSFET高可靠性引线框架，MOSFET芯片A以及MOSFET芯片B旋转60度并分别移动到基岛A和基岛B中心位置，整体产品结构布局更加合理，降低了产品回流焊时热膨胀效应影响，提高产品抗分层能力。
[0019](4)该一种双MOSFET高可靠性引线框架，槽A和槽B形成局部的V型嵌入式结构，当有塑封料注入，形成锁扣型结构，增强了基岛部分与塑封体部分的结合强度，进而增强整体产品的抗分层能力。
[0020](5)该一种双MOSFET高可靠性引线框架，MOSFET芯片与基岛边缘距离由原来的200微米，增加到400微米，降低产品胶水沾污风险，减少了芯片粘胶短路现风险。
附图说明
[0021]图1为原引线框架结构示意图；
[0022]图2为本技术的引线框架结构。
[0023]图中：1基岛A；2、基岛B；3 MOSFET芯片A；4 MOSFET芯片B；5 Pin1 脚位；6 Pin3脚位；7焊线；8槽A；9槽B。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]请参阅图1
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2，本技术提供一种技术方案：一种双MOSFET高可靠性引线框架，包括基板A1和基板B2，所述基板A1和基板B2上分别设置有MOSFET 芯片A3和MOSFET芯片B4，基板A1的上方从左到右分别设置有Pin8脚位和Pin7 脚位，基板B2的上方从左到右分别设置有Pin6脚位和Pin5脚位，基板A1的左下侧通过焊线7连接有Pin1脚位5，基板B2的左下侧通过焊线7连接有Pin3 脚位6，所述MOSFET芯片A3左侧与基板A1的底部夹角呈60度，所述
MOSFET 芯片B4左侧与基板B2的底部夹角呈60度。
[0026]进一步的，所述基板A1的左下角设计为斜边形状，且Pin1脚位5与基板 A1对应的一侧也设计为斜边，所述基板B2的左下角设计为斜边形状，且Pin3 脚位6与基板B2对应的一侧也设计为斜边。
[0027]将Pin1脚位5和Pin3脚位6设计成斜边形式，基岛A1和基岛B2同样设计成斜边形式，使Pin1脚位5设计成切入基岛A1边缘的斜边形式，使Pin3脚位6设计成切入基岛B2边缘的斜边形式，此类设计能够保证原引线框架基岛A 和基岛B的承载芯片能力，于Pin1脚位5和Pin3脚位6设计成斜边形式，使 Pin1脚位5和Pin3脚位6管脚面积增大并接近基岛A1和基岛B2位置，保持 Pin1脚位5以及Pin3脚位6分别与MOSFET芯片A3以及MOSFET芯片B4距离与原来不变，进而确保导通电阻参数不变。
[0028]进一步的，所述MOSFE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双MOSFET高可靠性引线框架，包括基板A(1)和基板B(2)，其特征在于：所述基板A(1)和基板B(2)上分别设置有MOSFET芯片A(3)和MOSFET芯片B(4)；基板A(1)的上方从左到右分别设置有Pin8脚位和Pin7脚位，基板B(2)的上方从左到右分别设置有Pin6脚位和Pin5脚位；基板A(1)的左下侧通过焊线(7)连接有Pin1脚位(5)，基板B(2)的左下侧通过焊线(7)连接有Pin3脚位(6)；所述MOSFET芯片A(3)左侧与基板A(1)的底部夹角呈60度，所述MOSFET芯片B(4)左侧与基板B(2)的底部夹角呈60度。2.根据权利要求1所述的一种双MOSFET高可靠性引线框架，其特征在于：所述基板A(1)的左下角设计为斜边形状，且Pin1脚位(5)与基板A(1)对应的一侧也设计为斜边；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叱晓鹏，习雨攀，潘廷宏，曾陈龙，袁威，
申请(专利权)人：深圳电通纬创微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：