用于分析集成电路样品质量的试验方法技术

技术编号:40075414 阅读:36 留言:0更新日期:2024-01-17 01:06
本申请涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种用于分析集成电路样品质量的试验方法。本申请通过对待进行分析的集成电路样品进行吸潮处理后再进行加热处理,直至吸潮样品中的芯片区域的焊球与焊盘区域剥离,得到试验样品。通过对试验样品进行开盖处理,得到初始样品后,对初始样品进行清洗处理,得到目标样品,并对目标样品的金属间化合物区域进行分析。本申请使用机械外力代替化学药品使得焊球与焊盘区域发生脱离,避免使用化学药品腐蚀焊球后对金属间化合物区域造成损伤,提高了分析集成电路产品质量的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路,尤其是涉及一种用于分析集成电路样品质量的试验方法


技术介绍

1、集成电路键合过程中,芯片焊盘区域的键合质量是由焊球与焊盘区域铝层间形成的金属间化合物(intermetallic compound,imc)的面积、厚度和分布情况决定的。imc层直接决定了焊球质量检验中的焊球推力、焊线拉力指标,并最终决定了集成电路产品质量和使用寿命。当集成电路封装完成后,客户方会进行带电老化试验,并依据老化试验时间判断集成电路的产品质量和使用寿命。当老化试验时间低于客户方要求时,会判定试验的集成电路的产品质量不达标。

2、对于带电老化试验不达标产品需要对集成电路的imc层进行分析,目前试验方法主要利用化学药水去除焊盘区域上的焊球,再观察焊盘区域中imc层的面积、厚度和分布情况,最终判定老化试验是否与imc存在关联。现有技术中,通过化学药水对焊球进行腐蚀,以实现将焊球从焊盘区域上清除。但利用化学药水腐蚀焊球预先配置化学药水,配置化学药水的时间、比例和时间都是不易控制的,导致试验时间和过程不易管控,且化学药水在腐蚀焊球时容易破坏焊球下方的imc结本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于分析集成电路样品质量的试验方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的用于分析集成电路样品质量的试验方法,其特征在于,所述吸潮处理是在高压蒸煮试验箱内,在121℃/100%RH/2atm/96H条件下进行的。

3.根据权利要求2所述的用于分析集成电路样品质量的试验方法,其特征在于,所述对所述吸潮样品进行加热处理,直至所述吸潮样品中的芯片区域的焊球与焊盘区域剥离,得到试验样品包括:

4.根据权利要求3所述的用于分析集成电路样品质量的试验方法,其特征在于,所述预设加热环境为260℃至300℃。

5.根据权利要求3所述的...

【技术特征摘要】

1.一种用于分析集成电路样品质量的试验方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的用于分析集成电路样品质量的试验方法,其特征在于,所述吸潮处理是在高压蒸煮试验箱内,在121℃/100%rh/2atm/96h条件下进行的。

3.根据权利要求2所述的用于分析集成电路样品质量的试验方法,其特征在于,所述对所述吸潮样品进行加热处理,直至所述吸潮样品中的芯片区域的焊球与焊盘区域剥离,得到试验样品包括:

4.根据权利要求3所述的用于分析集成电路样品质量的试验方法,其特征在于,所述预设加热环境为260℃至300℃。

5.根据权利要求3所述的用于分析集成电路样品质量的试验方法,其特征在于,所述对所述试验样品进行开盖处理,...

【专利技术属性】
技术研发人员:叱晓鹏陈明刘建银袁威王通
申请(专利权)人:深圳电通纬创微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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