基于阻挡层绝缘层融合的硅通孔制备方法技术

本公开涉及一种基于阻挡层绝缘层融合的硅通孔制备方法，该方法包括：对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底的第一面形成预设尺寸的盲孔；采用旋涂的方式在盲孔的表面生成融合层，融合层作为需要制备的硅通孔的阻挡层和绝缘层；在融合层上生成种子层；利用种子层在盲孔中填充金属，形成金属柱；进行抛光直至暴露出硅衬底的第一面；对硅衬底的与第一面相对的第二面进行减薄直至暴露出金属柱，完成硅衬底中硅通孔的制备。该方法能够简化硅通孔的工艺步骤，成本低、加工温度低、保形性高，且使得相关技术中硅通孔的界面分层、硅衬底开裂、电气性能退化、电损耗大等问题得以解决。损耗大等问题得以解决。损耗大等问题得以解决。

【技术实现步骤摘要】
基于阻挡层绝缘层融合的硅通孔制备方法


[0001]本公开涉及电子封装
，尤其涉及一种基于阻挡层绝缘层融合的硅通孔制备方法。

技术介绍

[0002]随着AI技术的发展，智能电子产品对更高带宽、更多I/O引脚、更高容量和集成密度的需求不断增加，基于硅通孔(Through Silicon Via，TSV)互联的3D集成技术已成为器件小型化的最有潜力的解决方案。另一方面，硅通孔可实现多功能子系统的垂直堆叠，例如模拟、逻辑、生物传感器、射频(RF)、存储器和MEM芯片，是实现器件多功能化的重要手段。
[0003]相关技术中，高深宽比的硅通孔制造工艺存在加工温度高、成本高，硅通孔结构本身存在界面分层、硅衬底开裂、电气性能退化、电损耗大等问题，随着芯片模组的复杂化和多层集成的要求，对热预算管理越发严格，对产品的成本也是重要考量之一，如何提供一种成本低、加工温度低、具有广阔的技术应用场景，且使得相关技术中硅通孔的界面分层、硅衬底开裂、电气性能退化、电损耗大等问题得以解决的硅通孔制备方法，是亟待解决的技术问题。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于阻挡层绝缘层融合的硅通孔制备方法，其特征在于，所述方法包括：对硅衬底进行刻蚀，在所述硅衬底的第一面形成预设尺寸的盲孔；采用旋涂的方式在所述盲孔的表面生成融合层，所述融合层作为需要制备的硅通孔的阻挡层和绝缘层；在所述融合层上生成种子层；利用所述种子层在所述盲孔中填充金属，形成金属柱；进行抛光直至暴露出所述硅衬底的第一面；对所述硅衬底的与所述第一面相对的第二面进行减薄直至暴露出所述金属柱，完成所述硅衬底中所述硅通孔的制备。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述融合层的材料包括聚酰亚胺，其中，采用旋涂的方式在所述盲孔的表面生成融合层，包括：在所述硅衬底的第一面旋涂聚酰亚胺并在固化后形成融合层，所述旋涂的速度的时间是根据所述预设尺寸确定的。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述融合层的材料的粘度是与所述盲孔的结构特征以及旋涂的速度匹...

【专利技术属性】
技术研发人员：王琛，邓晓楠，张思勉，武逸飞，王宇祺，柯声贤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：