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本公开涉及一种基于阻挡层绝缘层融合的硅通孔制备方法，该方法包括：对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底的第一面形成预设尺寸的盲孔；采用旋涂的方式在盲孔的表面生成融合层，融合层作为需要制备的硅通孔的阻挡层和绝缘层；在融合层上生成种子层；利用种子层在盲孔中...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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