一种用于单晶硅合金补掺的工装制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于单晶硅合金补掺的工装，包括吊装件、连接件和盛装件，吊装件与连接件的一端连接，连接件的另一端与盛装件活动连接，以使得盛装件可相对连接件转动；盛装件设有第一通孔和第二通孔，第一通孔至盛装件与连接件的连接处的距离小于第二通孔至盛装件与连接件的连接处的距离，以使得工装在掺杂时，硅溶液从第一通孔进入盛装件内，并携带掺杂剂从第二通孔内流出。本实用新型专利技术的有益效果是能够有效节省补掺工时，提升有效工时利用率，能够提升硅单晶生产产能，同步有效降低生产非硅成本；该工装可循环利用，投入低廉，效益显著。显著。显著。

A tooling for doping monocrystalline silicon alloy

【技术实现步骤摘要】
一种用于单晶硅合金补掺的工装


[0001]本技术属于硅单晶生制造
，尤其是涉及一种用于单晶硅合金补掺的工装。

技术介绍

[0002]众所周知，太阳能单晶硅片分N型和P型，用于制作太阳能电池片，N型单晶硅片掺杂元素为磷元素，在实际生产制作过程中相对于P型硅片制作电池片成本方面较高，所以目前市场上面大部分企业生产P型硅片用于制作太阳能电池。P型单晶硅片最早掺杂元素为硼元素，但是硼与单晶内氧会结合生成硼氧复合体，引起电池片硼氧复合体光衰(BO
‑
LID)，也是目前被认为造成单晶电池初始光衰的主要原因，在晶体硅电池进入PERC时代之后，BO
‑
LID的影响程度进一步显现。随着单晶硅制造技术的发展进步，其中一种解决LID的有效方法是使用掺镓硅片，镓原子代替硼原子之后，有效解决了硼氧复合的问题，几乎抑制了电池片光衰减，具备很大的发展潜力。
[0003]在直拉单晶硅生产环节，由于镓的分凝系数仅为0.008，与常规硼的分凝系数0.8相比相差100倍，导致镓在掺杂过程中浓度控制困难，生产出的单晶硅晶体头部电阻率散本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于单晶硅合金补掺的工装，其特征在于：包括吊装件、连接件和盛装件，所述吊装件与所述连接件的一端连接，所述连接件的另一端与所述盛装件活动连接，以使得所述盛装件可相对所述连接件转动；所述盛装件设有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔至所述盛装件与所述连接件的连接处的距离小于所述第二通孔至所述盛装件与所述连接件的连接处的距离，以使得所述工装在掺杂时，硅溶液从所述第一通孔进入所述盛装件内，并携带掺杂剂从所述第二通孔内流出。2.根据权利要求1所述的用于单晶硅合金补掺的工装，其特征在于：所述盛装件包括第一容纳腔和第二容纳腔，所述第一容纳腔与所述第二容纳腔沿着所述盛装件的长度方向依次设置，且所述第一容纳腔与所述第二容纳腔分别设于所述第一通孔的两侧，所述第一容纳腔与所述第二容纳腔连通，所述第二容纳腔用于容纳掺杂剂。3.根据权利要求2所述的用于单晶硅合金补掺的工装，其特征在于：所述第二容纳腔分别与所述第一通孔和所述第二通孔连通，以使得所述工装在进行补掺时，硅溶液从所述第一通孔进入并携带掺杂剂从所述第二通孔流出。4.根据权利要求3所述的用于单晶硅合金补掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴若林，陈家骏，聂永刚，程立波，
申请(专利权)人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司，
类型：新型
国别省市：