【技术实现步骤摘要】
一种掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法
[0001]本专利技术涉及直拉法生产单晶硅设备
，具体为一种掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法。
技术介绍
[0002]现有的8寸以及12寸砷、红磷N型硅单晶掺杂主要以气相挥发的掺杂方式，由于电阻率的要求，掺杂量较大。原掺杂装置的设计方案，依靠单晶炉内热量将掺杂剂气化，然后依靠氩气扩散进硅熔液，气态掺杂剂会扩散至单晶炉的副炉室和主炉室，只有部分进入石英坩埚的态掺杂剂与硅熔液接触，才能被有效利用，导致掺杂效率低，需要大量的掺杂剂进行掺杂，造成掺杂剂浪费。
[0003]根据专利号为CN213596456U一种增设导气管的掺杂剂掺杂装置，包括石英钟罩、第一挂钩、石英杯、导气管，所述石英钟罩的顶部封闭，所述石英钟罩的底部开口，在石英钟罩内侧的顶部设有第一挂钩，该增设导气管的掺杂剂掺杂装置，提高了掺杂剂的利用率，避免了掺杂剂的浪费，但是该增设导气管的掺杂剂掺杂装置仍存在以下不足，
[0004](1)在使用时，石英钟罩与导气管上端密封性一般，会存在一部分掺杂剂会通...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掺杂钟罩系统，包括主炉室(1)，其特征在于：所述主炉室(1)的顶部固定有隔离阀(2)，所述隔离阀(2)的顶部固定有副炉室(3)，所述主炉室(1)内壁的底部通过支杆(4)固定有石英坩埚(5)，所述副炉室(3)内壁的左侧滑动连接有滑板(6)，所述滑板(6)的右侧固定有石英钟罩(7)，所述石英钟罩(7)的内部设置有石英杯(8)，所述石英杯(8)的顶部固定有挂环(9)，所述副炉室(3)的内部设置有上连接罩(10)，所述上连接罩(10)与石英钟罩(7)配合使用，所述上连接罩(10)的底部连通有连接管(11)，所述连接管(11)的底端依次贯穿副炉室(3)、隔离阀(2)、主炉室(1)并延伸至主炉室(1)的内部，所述连接管(11)的底端连通有下连接罩(12)，所述下连接罩(12)位于石英坩埚(5)的内部，所述副炉室(3)上设置有驱动密封机构(13)，所述石英钟罩(7)的内部设置有防脱落挂钩机构(14)，所述石英钟罩(7)与上连接罩(10)之间设置有辅助密封机构(15)；所述驱动密封机构(13)包括固定在副炉室(3)顶部的驱动电机(131)，所述驱动电机(131)的输出轴固定有螺杆(132)，所述螺杆(132)的底端贯穿副炉室(3)并与副炉室(3)内壁的底部转动连接，所述螺杆(132)的表面与滑板(6)的内壁螺纹连接，所述副炉室(3)内壁的底部固定有充气筒(133)，所述充气筒(133)的内壁滑动有挤压活塞(134)，所述挤压活塞(134)的顶部固定有贯穿至充气筒(133)外部的驱动杆(135)，所述驱动杆(135)与滑板(6)配合使用，所述挤压活塞(134)的底部与充气筒(133)内壁的底部之间固定有复位弹簧(136)，所述充气筒(133)的表面连通有加气管(137)，所述上连接罩(10)的顶部开设有环形槽(138)，所述石英钟罩(7)的底部嵌设安装有与环形槽(138)配合使用的空心环形密封圈(139)，所述加气管(137)的一端贯穿石英钟罩(7)并与空心环形密封圈(139)的表面连通，所述充气筒(133)的内部设置有限位机构(1310)。所述限位机构(1310)包括固定在充气筒(133)内壁的上限位块(1310
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1)，所述上限位块(1310
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1)的底部与挤压活塞(134)的顶部接触，所述充气筒(133)的内壁还固定有下限位块(1310
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2)，所述下限位块(1310
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2)位于加气管(137)的上方。2.根据权利要求1所述的一种掺杂钟罩系统，其特征在于：所述防脱落挂钩机构(14)包括固定在石英钟罩(7)内壁顶部的钩体(141)，所述钩体(141)与挂环(9)配合使用，所述钩体(141)的内侧开设有弧形槽(142)。3.根据权利要求2所述的一种掺杂钟罩系统，其特征在于：所述弧形槽(142)的内壁转动有弧形条(143)，所述弧形条(143)与弧...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡瑞，刘进，虎永慧，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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